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5，RD6光刻胶哪家好，显影液

在已经曝光的硅衬底胶面喷淋显影液，或将其浸泡在显影液中，正胶是曝光区、而负胶是非曝光区的胶膜溶入显影液，胶膜中的潜影显现出来，形成三维图像。

显影完成后通常进行工艺线的显影检验，通常是在显微镜下观察显影效果，RD6光刻胶报价，显影是否、光刻胶图形是否完好。

影响显影的效果主要因素：

1，曝光时间，2前烘温度和时间，RD6光刻胶，3光刻胶膜厚，4显影液浓度温度，5显影液的搅动情况。

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9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG硫酸。负胶，98%H2SO4 H2O2 胶=CO CO2 H2O，正胶：BIN酮，干法去胶（ash）氧气加热去胶O2 胶=CO CO2 H2O，等离子去胶Oxygenplasma ashing，高频电场O2---电离O- O ， O 活性基与胶反应CO2，CO， H2O， 光刻检验

6，RD6光刻胶价格，坚膜

坚膜也叫后烘，是为了去除由于显影液的浸泡引起胶膜软化、溶胀现象，能使胶膜附着能力增强，康腐蚀能力提高。坚膜温度通常情况**前烘和曝光后烘烤的温度 100-140度 10-30min，7，显影检验，光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准不良、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡，针KONG、小岛。

8刻蚀

就是将涂胶前所垫基的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分进行腐蚀掉，达到将光刻胶上的图形转移到下层材料的目的。湿法刻蚀，SIO2，AL， Poly-Si 等薄膜，干法腐蚀。

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