光刻胶分类
正性光刻胶和负性光刻胶
光刻胶可依据不同的产品标准进行分类。按照化学反应和显影的原理,光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。如果显影时未曝光部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相反,称为负性光刻胶;如果显影时曝光部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相同,称为正性光刻胶。
在实际运用过程中,由于负性光刻胶在显影时*发生变形和膨胀的情况,一般情况下分辨率只能达到 2 微米,光刻胶供应商,因此正性光刻胶的应用较为广泛。
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光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。其中,半导体光刻胶的技术壁垒较高。
从技术水平来看,在PCB领域,国产光刻胶具备了一定的技术和量产能力,正向光刻胶供应商,已经实现对主流厂商大批量供货。
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光刻胶
在曝光过程中,正性胶通过感光化学反应,切断树脂聚合体主链和从链之间的联系,半导体光刻胶供应商,达到削弱聚合体的目的,所以曝光后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。曝光后的光刻胶溶解速度几乎是未曝光的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶,在感光反应过程中主链的随机十字链接较为紧密,并且从链下坠物增长,所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在曝光区间显影,负性胶则相反。负性胶由于曝光区间得到保留,漫射形成的轮廓使显影后的图像为上宽下窄的图像,正负光刻胶供应商,而正性胶相反,为下宽上窄的图像。
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