光刻胶分类概述
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基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。
①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,然后生成聚合物,具有形成正像的特点。
②光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。
③光交联型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,国产光刻胶哪家好,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。
光刻胶简介
赛米莱德——光刻胶供应商,我们为您带来以下信息。
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,特别是近年来大规模和**大规模集成电路的发展,较是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人**研究成功的就是用于印刷工业的,以后才用于电子工业。 [1] 光刻胶是一种**化合物,它被紫外光曝光后,在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面,而后被干燥成胶膜。
光刻胶的生产步骤
1、准备基质:在涂布光阻剂之前,硅片一般要进行处理,国产光刻胶价格,需要经过脱水烘培蒸发掉硅片表面的水分,并涂上用来增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物以及硅二乙胺。
2、涂布光阻剂(photo resist):将硅片放在一个平整的金属托盘上,托盘内有小孔与真空管相连,硅片就被吸在托盘上,这样硅片就可以与托盘一起旋转。
3、软烘干:也称前烘。在液态的光刻胶中,溶剂成分占65%-85%,甩胶之后虽然液态的光刻胶已经成为固态的薄膜,但仍有10%-30%的溶剂,*玷污灰尘。通过在较高温度下进行烘培,国产光刻胶,可以使溶剂从光刻胶中挥发出来,从而降低了灰尘的玷污。
4、曝光:曝光过程中,光刻胶中的感光剂发生光化学反应,从而使正胶的感光区、负胶的非感光区能够溶解于显影液中。正性光刻胶中的感光剂DQ发生光化学反应,变为乙烯酮,进一步水解为茚并羧酸,羧酸对碱性溶剂的溶解度比未感光的感光剂高出约100倍,同时还会促进酚醛树脂的溶解。于是利用感光与未感光的光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度,就可以进行掩膜图形的转移。
5、显影(development) :经显影,正胶的感光区、负胶的非感光区溶解于显影液中,曝光后在光刻胶层中的潜在图形,显影后便显现出来,在光刻胶上形成三位图形。为了提高分辨率,几乎每一种光刻胶都有专门的显影液,以**高质量的显影效果。
6、硬烘干:也称坚膜。显影后,硅片还要经过一个高温处理过程,主要作用是除去光刻胶中剩余的溶剂,增强光刻胶对硅片表面的附着力,同时提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力。
7、刻(腐)蚀或离子注入
8、去胶:刻蚀或离子注入之后,已经不再需要光刻胶作保护层,可以将其除去,国产光刻胶厂家,称为去胶,分为湿法去胶和干法去胶,其中湿法去胶又分去胶和无机溶剂去胶。
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