NR74g 3000PY光刻胶-北京赛米莱德公司

光刻胶的应用

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模拟半导体（Analog Semiconductors）发光二极管（Light-Emitting Diodes LEDs）微机电系统（Microelectromechanical Systems MEMS）太阳能光伏（Solar Photovoltaics PV）微流道和生物芯片（Microfluidics amp; Biochips）光电子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）封装（Packaging）

光刻胶的参数介绍

1．对比度（Contrast）

对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，NR74g 3000PY光刻胶公司，越*形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。

2．粘滞性/黏度 （Viscosity）

衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，NR74g 3000PY光刻胶哪家好，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。

3．抗蚀性（Anti-etching）

光刻胶**保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。

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光刻胶概况

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光刻胶又称光致抗蚀剂，是光刻工艺的关键化学品，NR74g 3000PY光刻胶，主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工，NR74g 3000PY光刻胶厂家，同时在 LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用，是微细加工技术的关键性材料。光刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。其中，树脂约占 50%，单体约占35%，光引发剂及添加助剂约占15%。

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