PN8308电源适配器ic芯片

PN8275内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的佳效率。

PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。

?PN8275+PN8308H方案亮点：
?输出规格：12V/3A
?内置 850V 高压模块实现 X 放电功能
?HV 脚可实现精确市电异常保护：OVP、Brown in/out
?高压启动+多工作模式+同步整流技术，满足 CoC V5 Tier 2、

骊微电子主要从事家电电源，充电器，电源适配器，LED电源等电源产品芯片IC设计，测试，销售，产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的集成电路产品，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务，使客户的系统性能优异、灵活可靠，并具有成本竞争力。

PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度，实现电源小型化，并降低系统成本。以12V3A电源为例，TO220肖特基+散热片（25mm*17mm）可被SOP8同步整流（10mm*10mm）取代，功率密度提高4倍以上。

PN8308H适用于输出电压9-15V的电源，内置80V智能功率MOSFET，具有如下特点：
易搭配原边主控芯片： ns级速度关断SR， 支持150kHz工作频率，支持CCM/DCM/QR工作模式；
EMC性能卓越：独特电流跟踪技术显着降低dV/dt，EMC特性优于肖特基；
可实现零外围工作：Low side架构，单边SW贴片封装，方便PCB Layout；
全面的智能保护功能：UVLO、防误开启、防误关断功能。

随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，PN8308内置mos开关电源同步整流芯片因外围精简、EMC性能卓越、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片，实现电源小型化，并降低系统成本，被广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。

随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，骊微电子代理的PN8308H采用通态电阻极低的功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的，从而提高转换效率，可以提高整个AC-DC的整体效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压，降低电源本身发热。

PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度，实现电源小型化，并降低系统成本。以12V3A电源为例，TO220肖特基+散热片（25mm*17mm）可被SOP8同步整流（10mm*10mm）取代，功率密度提高4倍以上，因PN8308外围精简、EMC性能卓越、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片，被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。

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