12V2A充电器芯片AP2005

PN8680M概述：
PN8680M原边反馈低功耗电源芯片集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。PN8680低功耗电源芯片内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

PN8680M产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC）
■ 采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准
■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
■ 原边反馈可省光耦和TL431
■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
■ 无需额外补偿电容
■ 无音频噪声
■ 智能保护功能
? 过温保护 (OTP)
? VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
? 逐周期过流保护 (OCP)
? CS开/短路保护 (CS O/SP）
? 开环保护 (OLP)

PN8680M极限工作范围：
VDD 脚耐压……………….……………………-0.3~40V
FB,CS 脚耐压………………...……….…………-0.3~5.5V
SW 脚耐压……………………….…….…..…. -0.3~650V
结工作温度范围……….…..….…..…...….….-40~150℃
存储温度范围………………………....…. ….-55~150℃
管脚焊接温度 （10秒）……………..……………...260℃
封装热阻RθJC （SOP-8）…...........……………….80℃/W
人体模式ESD 能力(1)（HBM）……..…...….……... ±4kV
漏极脉冲电流（Tpulse=100us）………….…….…..…..…3A

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PN8275产品特征：
■ 内置高压启动电路
■ QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode混合模式提高效率
■ 自适应PWM开关频率65/85kHz，减小变压器体积
■ 内置输入欠压保护(PN8275)
■ 内置输入过压保护(PN8275P)
■ 内置X电容放电功能(通过IEC62368-1:2014认证)
■ 空载待机功耗< 50 mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8~40V，适合宽输出电压应用
■ 线电压补偿外部可调
■ 优异全面的保护功能
? 过温保护 (OTP)
? 输出过压保护
? 逐周期过流保护 (OCP)
? 输出开/短路保护
? 专利的DMG电阻短路保护(Latch模式)
? 次级整流管短路保护
? 过负载保护（OLP）

PN8366M小功率电源适配器ic六级能效5V/1.2A适配器应用方案：
■ 输出规格5V/1.2A
■ 内置高压启动+多工作模式+专利谷底开通技术，满足六级能效标准
■ 双段驱动技术，EMC性能优越，无需Y电容及输出共模电感

PN8366M小功率电源适配器ic六级能效6W适配器应用方案：
■ 输出规格：12V/0.5A
■ 集成专利高压启动模块+低工作电流，待机功耗＜50mw，10%负载效率裕量充足
■ PFM+PWM+QR多工作模式提高平均效率，满足六级能效要求，消除异音
■ 方案精简：无需启动线路、去Y电容。
■ 可通过6KV Surge测试


电源ic就是指开关电源的脉宽控制集成，电源靠它来调整输出电压电流的稳定。手机是电源管理芯片为重要的应用场合，PN8368集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。
低功耗高效率电源芯片PN8368功能特点：
1.内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
2.内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
3.采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
4.全电压输入范围±5%的CC/CV精度
5.原边反馈可省光耦和TL431
6.恒压、恒流、输出线补偿外部可调
7.无需额外补偿电容
8.无音频噪声
9.智能保护功能

随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，骊微电子推出新一代精简外围12V3A六级能效充电器/适配器方案：PN8275+PN8308H外围外围BOM降低20%，效率高达87%，满足六级能效的传统12V3A六级能效同步整流方案。

六级能效同步整流方案概述：
PCBA尺寸：39.0mm*86.0mm
输入电压：90~265Vac全电压
输出功率：36W(Typical)
平均效率：≥88.3%(满足CoC V5 Tier2六级能效要求)
待机功耗：<50mW(Vin=265Vac)
输入欠压保护、输入过压保护、输出过压保护，输出过流保护等

PN8275是一款集成了高压启动的电流模式的开关电源芯片，结合多模式混合调制技术和X电容放电功能实现六级能效，并符合IEC 62368-1:2014标准要求(CB证书编号：DK-76617-UL)；PN8275提供了全面保护功能包括输入市电欠压保护、市电过压保护、输出过压保护、OTP、OCP、次级整流管短路保护等。

PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10mΩ智能功率MOSFET，用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H外围精简，采用独特电流跟踪技术，可在50ns内快速关断，改善系统EMI特性，彻底避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。

PN8275+PN8308H电路描述：电路图中R20、R22、R23为反馈分压电阻；D5、R17、R18、R15、C7 组成 RCD 箝位电路，用于吸收功率 MOSFET 漏源端尖锋电压，可以视情况予以减轻；PN8275 本体温度太高时，其内置的 OTP 保护功能会及时动作，关闭 IC，以保护整个系统，温度下降之后在自动重启；电路具有输出短路保护，输出过流保护，开环保护， VDD 过压保护等功能，以提高整个系统的可靠性；当连接到反馈脚 FB 的分压电阻开路或短路时，系统都会进入保护状态。

PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度，实现电源小型化，并降低系统成本。以12V3A电源为例，TO220肖特基+散热片（25mm*17mm）可被SOP8同步整流（10mm*10mm）取代，功率密度提高4倍以上，因PN8308外围精简、EMC性能卓越、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片，被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。

 深圳市骊微电子科技有限公司是一家专业从事半导体分立器件及集成电路的开发、生产与销售的半导体公司。公司自成立以来，一直本着提供专业及诚垦的态度为已任，以技术 服务为依托，市场需求为导向。经过多年的努力与发展，现阶段公司的销售网络不仅覆盖全国各地，而且涉足海外市场，得到了国内外诸多大型客户的信赖与支持，产品被广泛用于：家电、电源、通讯、数码、玩具、灯饰、汽车电子、广播视听类等相关领域。 我们一贯坚持"品质，价格合理，交货快捷，顾客至上"的发展理念和宗旨，为**市场提供较具创意品质可靠的电子产品，骊微人秉持"诚信，互利"的原则，促进与客户的长久合作关系．并与国内多家**半导体厂商合作，精工制造产品，服务市场。 公司****观 客户 始终把客户放在位，关注客户需求。真正了解客户的产品需求，从而让客户的产品在行业中较具技术优势与竟争力，帮助客户获得成。 成长与分享 当前的外部环境为公司的成长提供了绝好的机会，公司的成长是客户、员工、股东共同的利益所在，公司**的成长应该为客户、股东、员工充分分享： 股东实现**成长，分享企业的社会责任； 员工实现理想抱负，分享企业**的成长； 客户获得优质服务，分享开放的资源平台。 持之以恒 “持之以恒、生生不息”是骊微的**精神，也是骊微有别于其他企业的特点所在。 以远大的胸怀，设立长期目标，持续不懈地努力工作，一定能够获得后的成。