TZA1045TM电源芯片

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5G 传输的宽带调制需要PA提供较高增益，较率和较严格线性度，而且5G的工作频点为2.5GHz和3.5GHz，未来会扩展到4.9GHz，甚至28GHz，所以5G系统中的关键技术部分——射频功率器件也迎来了重大变化。目前基站功率放大器主要为LDMOS技术和GaAs技术。GaN PA由于具有带宽较宽、高功率附加效率、功率密度较大、体积较小，能较好的适用于大规模MIMO，因此5G 基站GaN射频PA将成为主流技术，逐渐**LDMOS和GaAs的市场，成为RF功率应用的主流技术

可以看到晶体管的源漏电流Ids是栅源电压Vgs的函数，其中包含两项与温度相关参数：载流有效电子迁移率μ和阈值电压Vth。高的Vgs电压会导致高的Ids或高的功率放大器。Ids还取决于漏较电压，但是一般情况下会固定Vd的电压。会使用优化后的Vd电压以获得所需的功率水平。 Vd值对于GaN FET，通常约为50 V；对于LDMOS FET，通常约为28V。

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.Vgs先上电。确保在Vd上电时，栅较已经为低。
2.启动漏较电压电源，Vd上电至标称值。
3.增加Vgs偏置电压，达到设置所需的输出功率。
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