• 上海T388N16TOF英飞凌可控硅

    上海T388N16TOF英飞凌可控硅

  • 2021-02-22 01:08 28
  • 产品价格:面议
  • 发货地址:江苏省苏州昆山市包装说明:不限
  • 产品数量:不限产品规格:不限
  • 信息编号:58729337公司编号:4244505
  • 林志胜 经理
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    产品描述
    按一机部IBI144一75的规定,普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注:
    额定速态平均屯成系列共分为14个,如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级,1000V以上的管子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志,如表1-6所示。
    通态平均电压组别依电压大小分为9组,用宇毋表示,如表1一所示。
    例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V,管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅。
    综上所述,小结如下:
    (1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三个电极,用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成
    (2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门较电压。
    (3)可控硅导通后,当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。
    (4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线,2.门较伏安特性区。
    (5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:
    上海T388N16TOF英飞凌可控硅
    可控硅特征
    芯片与底板电气绝缘 
    2500V交流电压
    **标准封装
    全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力
    350V以下模块皆为强迫风冷,400A以上模块,既可选用风冷,也可选用水冷。
    安装简单,使用维修方便
    体积小,重量轻
    真空+氢气保护焊接技术 
    典型应用
    交直流电机控制
    各种整流电源
    工业加热控制
    调光
    无触点开关
    电机软启动
    静止无功补偿
    电焊机
    变频器
    UPS电源
    电池充放电
    普通晶闸管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如
    果把二极管换成晶闸管,就可以构成可控整流电路。以简单的单相半波可控整流电路为例,
    在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制较没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通,只
    有在U2处于正半周,在控制较外加触发脉冲Ug时,晶闸管被触发导通。画出它的波形(c)及
    (d),只有在触发脉冲Ug到来时,负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早,晶闸管导通的时
    间就早;Ug到来得晚,晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制较上触发脉冲Ug到来的时间,就
    可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中,常把交流电的半个周期定为180°,称
    为电角度。这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控
    制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显,α和θ都是用来表示晶闸
    管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ,改变负载
    上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。
    上海T388N16TOF英飞凌可控硅
    可控硅有多种分类方法。
    (一)按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门较关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
    (二)按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二较可控硅、三较可控硅和四较可控硅。
    (三)按封装形式分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
    可控硅开关
    可控硅开关
    (四)按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
    (五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。
    (六)过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅。
    (七)非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角(角相位),来改变输出百分比。
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    关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT
    在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时,内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重,在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶闸管)。
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