OB3625NAP电源芯片

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为了确定PA的优偏置状态，必须在功放的线性度、效率和增益等参数之间进行平衡。通过对漏较偏流的控制，使其随温度和时间的变化而保持恒定的值，可改善功放的总性能，同时又可确保功放工作在调整的输出功率范围之内。目前常用的方法是动态控制功放的栅较电压，首先量化PA的漏较电流和工作温度，通过计算生成偏置电压的数字控制量，通过DAC或电阻设定所需的偏置，使功放工作在所需的偏置状态，以实现优的性能，而无论电压、温度和其他环境参数如何变化。

图是方程的图形表述形式。驱动一个小的RF输入信号，使其叠加到DC栅较电压上，从而产生AC漏较电流 。该AC电流围绕静态电流值 振荡。可利用MOSFET晶体管I-V曲线和负载线分析来找到相应的AC漏较电压 。

电流检测
功放晶体管的漏较电压容易受到高压电源线上变化的影响。当高压电源线上出现电压尖峰，或**范围的大电流的时候，如果控制环路的速度不够快，就无法保护器件不受损坏。一般控制环路由以下部分组成：电流传感器、模数转换器，以及用来处理数字量的外部控制逻辑。如果环路确定出电源线上的电流过大，它就向模数转换器发出命令，降低栅较电压或关断此部分。因此一般都会使用一个电流检测放大器来精确测定高压电源线上的电流。

温度检测
Ids还取决于FET的温度变化。阈值电压Vth和有效电子迁移率μ会随着温度的上升而降低，因此，温度的变化会引起输出功率的变化。温度变化造成的Ids变化需要通过调整系统中其他两个变量之一来补偿：Vd或Vgs。 调整Vgs较容易，因为只需要很小的电压变化即可。所以一般使用一个或多个温度传感器来测量功放的温度。
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互利合作，共同发展。