常州五氧化二钽靶材电话

当**大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者较小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会大幅度增加器件功耗,并且减弱栅较电压控制沟道的能力。在等效氧化层厚度保持不变的情况下,使用高介电材料替换传统的栅较介质,使用加大介质层物理厚度的方法,可以明显减弱直接隧穿效应,并增加器件的可靠性。所以,找寻高介电的栅介质材料就成了当务之急。在高介电栅介质材料中,由于五氧化二钽既具有较高的介电常数(K-26),又能够兼容与传统的硅工艺,被普遍认为是在新一代的动态随机存储器(DRAM)电容器件材料中相当有潜力的替代品

Ta2O5（氧化钽）薄膜的光谱透过波段为0.3～10um，是可见光到近红外波段重要的高折射率材料之一。

五氧化二钽靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二钽（Ta2O5）为白色无色结晶粉末，是钽常见的氧化物，也是钽在空气中燃烧生成的终产物。主要用作拉钽酸锂单晶和制造高折射低色散特种光学玻璃用，化工中可作催化剂

离子束溅射Ta2O5薄膜的研究主要集中在离子束、烘烤温度和工作气体流量比等参数的优化以及热处理对薄膜性能的影响上，并获得了离子束溅射制备Ta2O5薄膜的折射率、消光系数、应力、化学计量比、微结构和光学带隙等特性。

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