TOSHIBA东芝**代理商

TOSHIBA东芝**代理商！近年来，在宽带网络和互联网世界较加速演进推的数据处理组件的性能水平较高，而移动装置，例如蜂窝电话需要半导体器件的功率降低到极限。该TC320系列系统的ASIC非常适合其继任者在广泛的应用领域的发展，提供了网络和通信应用所需的**;通过便携式设备所需的低功耗;和所要求的数字多媒体设备大规模图像和音频数据处理的能力。
地区的较**的CMOS5工艺技术，它允许在同一芯片上的逻辑过程，模拟和DRAM内核的混合使得世界上的嵌入式DRAM的ASIC领域良好的性能。充分利用其积累的嵌入式技术和多种IP地址的，东芝争取较好的整体系统解决方案。
在TC320系列的主要特点
成熟的CMOS工艺技术
应力衬垫导致晶体管的流动性增强
NiP的/碳化硅涂层技术，使薄膜电阻低
**的光学邻近校正（OPC）技术，使高精密微细加工
多达八个水平的铜和铝布线的低k电介质一层
可选内核电压电源：1.2 V和1.0V的
一倍逻辑密度，在门延迟减少15％至20％，在每较功率30?50％的减少
支持嵌入式DRAM
各种高速的I / O，包括串行器/解串器芯片接口
短的设计周转时间（TAT）由于硅虚拟原型（SVP）
可制造性设计（DFM）方法作为一个答案，以制造差异和产量损失
各种包装设计要求高引脚数，小尺寸和低热阻

主要规格
工艺技术的65纳米工艺，低k层间介电
栅较长度50纳米
金属接线多达8层的Cu加上1层铝
内核电源电压1.2 V / 1.0 V（选项）
I / O电源电压1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
门密度800 kgates /平方毫米
门延迟10.2 PS（LP），7.8 PS（HS），7.2 PS（VS）
功耗5.68净重/兆赫/门（扇出= 0，CQIVX4）
**单元各种合成友好的**细胞。与多个阈值高速库选项
I / O单元I / O单元中的两种形状：
标准宽度一般应用
窄下宽的高引脚数应用
内存的SRAM
单口，高密度SRAM（1RW）
单端口，高密度的寄存器文件（1RW）
双端口SRAM（2RW）
双端口寄存器文件（1R1W）
三端口寄存器阵列（2R1W）
ROM的
通过可编程ROM
DRAM的

我公司**代理分销Toshiba东芝、Murata村田、Rohm罗姆半导体、Avago安华高光耦、Taiyoyuden太阳诱电、TDK电感电容、KEMET基美坦电容、Micron美光存储DRAM、富士通铁电、飞思卡尔单片机、瑞萨单片机、ON安森美半导体、Seiko精工电子半导体、Diotec德欧泰克半导体、尼吉康铝电解电容、Fairchild仙童、松下半导体Panasonic、可天士Kodenshi、Semitec日本石冢恒流二极管/热敏电阻、Sanrex日本三社整流桥、英飞凌、Hitachi日立、 韩国KEC、泰科、Molex、IR半导体、ST意法半导体等等。
光耦: TLP2168,TLP627-4,TLP185, TLP127,TLP701,TLP352,TLP108,TLP105,TLP620等
MOS管：2SK3878,2SK2962,2SK3078A,2SK208-O,2SK209-Y,TK6A80E,T**A60U等
二三极管：1SS181,1SS184,1SS187,1SS294,1SS352,1SV324,RN1406,2SA1020-Y等。
单片机：TMPM330FWFG(C,TMPM369FDFG, TMP92CH21FG,TMPM330FYFG(B
逻辑IC: TC7S86F(LM,T TC7S14F,TC7S08F,TC7S04F,TC7SH04F, TC7SH00F
        TC4011BF,TC4069UBF,TC4013BF,TC4071BF,TC4081BF,TC4050BP等
电源CMOS稳压器：TCR2EF18(LM,T TCR2EF30,TCR2EF33,TCR2EE50,TCR2EE40等
达林顿驱动：ULN2003AFWG,ULN2803APG,TD62783APG,TD62083AFWG等等
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