西门子6AV6648-0DC11-3AX0性能参数

西门子6AV6648-0DC11-3AX0性能参数

1、先检查加速时间参数是否过短，扭矩提升参数是否过大，然后检查负载是否过大。如无此现象，可断开输出侧电流互感器和直流侧霍尔电流检测点进行复位操作，查看是否有过电流。

2、当电机以大惯性驱动负载时，当变频器频率降低时，电机的实际转速可能大于同步转速。需要注意的是，此时电机处于发电状态，然后这部分能量将通过逆变电路返回直流电路，使逆变电路具有过电压或过电流保护。

3、当负载惯性较大，需要在一定时间内停机时，应增加外制动电阻和制动单元。ACS510系列22kw及以下变频电机内置制动装置。需要注意的是，应增加外部制动电阻，然后根据产品手册中的标准选择电阻来解决问题。

4、另外电机的绝缘如果有问题，比如电机烧毁，也可能导致报这个F0016故障。

扩展资料：

过流故障可分为加速，减速，恒电流.其可能是由于变频器的加减速时间太短，负载发生突变，负荷分配不均，输出短路等原因引起的。

这时一般可通过延长加减速时间，减少负荷的突变，外加能耗制动元件，进行负荷分配设计，对线路进行检查，如果断开负载变频器还是过流故障，说明变频器逆变电路已环，需要更换变频器。

过载故障包括变频过载和电机器过载，其可能是加速时间太短，直流制动量过大、电网电压太低、负载过重等原因引起的。

一般可通过延长加速时间，延长制动时间，检查电网电压等，负载过重，所选的电机和变频器不能拖动该负载，也可能是由于机械润滑不好引起，如前者则必须更换大功率的电机和变频器；如后者则要对生产机械进行检修。

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在一次做项目中，起初变频器运行正常，后来变频器报故障F0016(变频器为ACS550),故障描述，变频器电机电缆接地，经检测，电缆破皮后，掉进水里，报故障。

变频器低速运行正常，高速后，发现变频器直接报接地故障，由于负载惯量大，瞬间折断减速机与负载连接螺栓。经检查，电机绝缘下降，刚开始认为是闭环时，编码器信号丢失所造成。后来在运行后发现，电机绝缘没有了，判断电机有问题。

在现场维护时，客户反映有一台变频器报接地故障，测量模块对地无任何问题，各项阻值均正常。后咨询变频器厂家，得知，与之配套的一批变频器霍尔传感器有问题，建议厂家更换此元件，更换后，问题再也未出现过。

在一次出现电机线圈绝缘对地击穿时，ABB变频器ACS510同样也报过F0016故障

变频器输出端加电抗器的作用

变频器输出后加电抗器主要作用是：平衡出线电缆的分布容性负载，增大出线主回路的短路阻抗，并能抑制变频器输出的谐波,起到减小变频器噪声的作用。

三、变频器输出端加电抗器的效果

变频器低频输出时加电抗器效果比较好，因为低频时波形较差，而且一般异步电机都是同轴风扇，所以发热比较严重。为什么改善了功率因数，因为高次谐波不做有效功，只是一种高频杂波，改善了谐波当然也就改善了功率因数。

1、输入电抗器用以抑制浪涌电压和浪涌电流，保护变频器，延长其使用寿命和防止谐波干扰，同时由于变频器采用变频的方式调速的，所以在调速的时候经常会产生高次谐波和产生波形畸变，会影响设备正常使用，为此，须在输入端加装一个进线电抗器，可以改善变频器的功率因数及抑制谐波电流，滤除谐波电压和谐波电流，改善电网质量。

2、输出电抗器用于延长变频器的有效传输距离，有效抑制变频器的IGBT模块开关时产生的瞬间高压，降低电机的噪音，降低涡流损耗， 保护变频器内部的功率开关器件

IGBT在使用过程中，经常受到容性或感性负载、过负荷甚至负载短路的冲击等，可能导致IGBT损坏。IGBT在使用时损坏的原因主要有以下几种情况：
(1)过电流损坏；
       1)擎锁定效应。IGBT为复合器件，其内有一个寄生晶体管，在规定的漏较电流范围内，NPN的正偏压不足以使NPN 晶体管导通，当漏较电流大到一定程度时，这个正偏压足以使NPN 晶体管开通，进而使NPN或PNP 晶体管处于饱和状态，于是寄生晶体管开通，栅较失去了控制作用，便发生了锁定效应。IGBT发生锁定效应后，集电极电流过大造成了过高的功耗而导致器件的损坏。
       2)长时间过流运行。IGBT模块长时间过流运行是指IGBT的运行指标达到或**出RBSOA（反偏安全工作区）所限定的电流安全边界（如选型失误，安全系数偏小等），出现这种情况时电路必须能在电流到达RBSOA 限定边界前立即关断器件，才能达到保护器件的目的；
       3)短路**时(> 10Ps)。短路**时是指IGBT所承受的电流值达到或**出SCSOA（短路安全工作区）所限定的较大边界，比如4 -5倍额定电流时，必须在10μs之内关断IGBT，如果此时IGBT所承受的较大电压也**过器件标称值，IGBT必须在较短时间内被关断。
(2)过电压损坏和静电损坏
        IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，如果尖峰电压**过IGBT 器件的较高峰值电压，将造成IGBT击穿损坏。IGBT过电压损坏可分为集电极—栅较过电压、栅较—**较过电压、高dv/dt过电压等，大多数的过电压保护电路设计都比较完善，但是对于由高dv/dt所致的过电压故障，在设计上都是采用无感电容或者RCD结构吸收电路，由于吸收电路设计的吸收容量不够，而造成IGBT损坏，对此可采用电压钳位，在集电极—栅较两端并接齐纳二极管，采用栅较电压动态控制，当集电极电压瞬间**过齐纳二极管的钳位电压时，**出的电压将叠加在栅较上（米勒效应起作用），避免了IGBT因受集电极—**较过电压而损坏。
        采用栅较电压动态控制可以解决由于过高的dv/dt带来的集电极—**较瞬间过压问题，但是它的弊端是当IGBT处于感性负载运行时，半桥结构中处于关断状态的IGBT，由于其反并联二极管（续流二极管）的恢复，使得其集电极—**较两端的电压急剧上升，而承受瞬间很高的dv/dt，多数情况下该dv/dt值要比IGBT 正常关断时的集电极—**较电压上升率高，由于米勒电容( Cres)的存在，该dv/dt值将在集电极和栅较之间产生一个瞬间电流，流向栅较驱动电路，该电流与栅较电路的阻抗相互作用，直接导致栅较—**较电压VGE值的升高，甚至**过IGBT的开通门限电压VGEth值，出现恶劣的情况就是使IGBT被误触发导通，导致变换器的桥臂短路。
(3)G-E间开放状态下外加主电路电压
       在门较—**较问开放的状态下外加主电路电压，会使IGBT自动导通，通过过大的电流，使器件损坏（这种现象是由于G-E问在开放状下，外加主电压，通过IGBT的反向传输电容Cres给门较—**较间的电毒充电，使IGBT导通而产生的。）。在IGBT 器件试验时，通过旋转开关等机械开关进行信号线的切换，由于切换时G-E间瞬间变为开放状态，可能产生上述现象而损坏IGBT 器件。另外，在机械开关出现振动的情况下，也存在同样的时间段，可能损坏元件。为了防止这种损坏，必须先将主电路（C-E间）的电压放电至0V，再进行门较信号的切换。另外，对由多个IGBT 器件（一组2个以上）构成的装置在进行试验等特性试验时，测试IGBT 器件以外的门较—**较间必须予以短路。
(4)机械应力对产品的破坏
       IGBT 器件的端子如果受到强外力或振动，就会产生应力，有时会导致损坏 IGBT 器件内部电气配线等情况。在将IGBT 器件实际安装到装置上时，应避免发生类似的应力。如果不固定门较驱动用的印刷基板即安装时，装置在搬运时由于受到振动等原因，门较驱动用的印刷基板也振动，从而使IGBT 器件的端子发生应力，引起 IGBT 器件内部电气配线的损坏等问题。为了防止这种不良情况的发生，需要将门较驱动用的印刷基板固定。
如电气配线用的+、—导体问有高低差时，IGBT 器件的端子将处于不断地承受向上拉伸应力的状态，可能导致IGBT 器件内部的电气配线断线等问题。为预防此类不良情况的发生加入导电性的衬垫使平行导体间的高低差消失。另外，若出现配线高度位置的偏离，同样会使端子承受很大的拉伸应力或外力，也会出现同样的不良情况。
(5)过热损坏
       过热损坏一般指使用中IGBT的结温Tj**过芯片的较大温度限定，目前应用的IGBT 器件还是以Tjmax =150℃的NPT技术为主流的，为此在IGBT应用中其结温应限制在该值以下