• 天津进口美高森美快恢复二极管值得推荐 江苏芯钻时代电子科技供应 江苏芯钻时代电子科技供应

    天津进口美高森美快恢复二极管值得推荐 江苏芯钻时代电子科技供应 江苏芯钻时代电子科技供应

  • 2023-01-16 01:07 90
  • 产品价格:面议
  • 发货地址:江苏省苏州昆山市包装说明:标准
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  • 信息编号:99313704公司编号:4270854
  • 陈川 总经理
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    产品描述

        对充电限流电阻进行短接的开关,目**般都采用机械接触器,但由于环境的影响,特别是在湿度大或带粉尘的环境下,往往会使触头损坏,另外接触器接通和断开时产生电弧,致使接触器寿命缩短而损坏,从而严重影响变频器的稳定**工作。为了解决上述存在的问题,常州瑞华电力电子器件有限公司采用FRED替代普通整流二极管,采用晶闸管替代机械接触器,制成如图1所示的“三相FRED整流桥开关模块”,这种模块用于变频器后,能使变频器性能提高、体积缩小、重量减轻、工作稳定**。本公司生产的“三相FRED整流桥开关模块”(型号为MFST)的主要参数见表1。4结束语2006年常州瑞华电力电子器件有限公司研发成功的“三相整流二极管整流桥开关模块”(型号为MDST)是由六个普通整流二极管和一个晶闸管组成,其内部电连接原理图如图1所示,它已用于VVVT、SMPS、UPS、逆变焊机以及伺服电机驱动放大器等具有直流环节的变频装置,并已**很大成效。用**快恢复二极管(FRED)替代普通整流管所构成的“三相FRED整流桥开关模块”(型号为MFST)亦可用于上述各种电压型变频器,但可大幅度降低变频器噪音达15dB,这一效应将直接影响到变频器的EMI滤波电路内电容器和电感器的设计,并使它们的尺寸缩小。

        正向导电,反向不导电)晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场,当不存在外加电压时,因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时,外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流(也就是导电的原因)。当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0(这也就是不导电的原因)。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。二极管原理反向击穿编辑反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时。


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