IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双较型晶体管,是由BJT(双较型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。立即购买文章:1317个浏览:187698次分享:电动车用大功率IGBT模块测试解决方案碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估台积电获准继续向华为供货英飞凌在进博会上宣布新在华投资计划ITECH半导体测试方案解析,从容应对**功率半导体市场风起云涌!跑赢大市,揭秘华润微2020年半年报净利润大涨背后的玄机IGBT–电动汽车空调的一项关键技术功率半导体井喷:IGBT模块主流厂商与产品基于IGBT器件的三相逆变器驱动电路的设计与分析苦难与辉煌集成电路国产化之路(下)(SWOT分析法)苦难与辉煌集成电路国产化之路。
可控硅可控硅简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、**、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制较G决定。在控制较G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。IGBTIGBT绝缘栅双较型晶体管,是由BJT(双较型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
江苏芯钻时代电子科技有限公司,**从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售,具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的**公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列,富士系列等模块为主,同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。