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MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现，其导通电阻小，耐压高。选择MOS管还是IGBT？在电路中，选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管，这是工程师常遇到的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：人们常问：“是MOSFET好还是IGBT好？”其实两者没有什么好坏之分，i主要的还是看其实际应用情况。关于MOSFET与IGBT的区别，您若还有疑问，可以详询冠华伟业。深圳市冠华伟业科技有限公司，主要代理WINSOK微硕中低压MOS管产品，产品用于、LED/LCD驱动板、马达驱动板、快充、、液晶显示器、电源、小家电、医疗产品、蓝牙产品、电子秤、车载电子、网络类产品、民用家电、电脑周边及各种数码产品。

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