微型可控硅平台 江苏芯钻时代电子科技供应 江苏芯钻时代电子科技供应

    *三层P型半导体引出的电极叫控制较G，*四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b）〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制较G，这就使它具有与二极管*不同的工作特性。以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以**上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")较为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果**过此功率，因元件开关损耗明显增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应较快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；**，成本低等等。可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；*受干扰而误导通。可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何。

    我们可以把从阴极向上数的、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三、四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、*三层为两管交迭共用。可画出图1的等效电路图。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压E，又在控制较G和阴极C之间(相当BG2的基一射间)输入一个正的触发信号，BG2将产生基较电流Ib2，经放大，BG2将有一个放大了β2倍的集电极电流IC2。因为BG2集电极与BG1基较相连，IC2又是BG1的基较电流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集电极电流IC1送回BG2的基较放大。如此循环放大，直到BG1、BG2*导通。事实上这一过程是“一触即发”的，对可控硅来说，触发信号加到控制较，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG2基较的电流已不只是初始的Ib2，而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib2)，这一电流远大于Ib2，足以保持BG2的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态，只有断开电源E或降低E的输出电压，使BG1、BG2的集电极电流小于维持导通的小值时，可控硅方可关断。当然，如果E极性反接，BG1、BG2受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来。

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