晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,上海瞬变抑制三极管特点,(其中,N是负极的意思(英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,上海瞬变抑制三极管特点,上海瞬变抑制三极管特点,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,也是电子电路的元件。上海瞬变抑制三极管特点
三极管的电子运动原理:发射结加正向电压,扩散运动形成发射极电流IE发射结加正向电压且发射区杂质浓度高,所以大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区。与此同时,空穴也从基区向发射区扩散,但由于基区杂质浓度低,所以空穴形成的电流非常小,近似分析时可忽略不计。可见,扩散运动形成了发射极电流IE。由于基区很薄,杂质浓度很低,集电结又加了反向电压,所以扩散到基区的电子中只有极少部分与空穴复合,其余部分均作为基区的非平衡少子到达集电结。又由于电源 VBE的作用,电子与空穴的复合运动将源源不断地进行,形成基极电流IB。上海瞬变抑制三极管特点三极管从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。
三极管锗管的穿透电流比较大,一般由几十微安到几百微安,硅管的穿透电流就比较小,一般只有零点几微安到几微安。 I ceo 虽然不大,却与温度有着密切的关系,它们遵循着所谓的“加倍规则”,这就是温度每升高 10℃ , I ceo 约增大一倍。例如,某锗管在常温 20℃ 时, I ceo 为 20μA ,在使用中管芯温度上升到 50℃ , I ceo 就增大到 160μA 左右。测量 I ceo 的电路很简单,三极管的基极开路,在集电极与发射极之间接入电源 V CC ( 6V ),串联在电路中的电流表(可用万用表中的 0.1mA 挡)所指示的电流值就是 I ceo 。
双极管共发射极接法的电压-电流关系输入特性曲线简单地看,输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线,现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响,它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响,在讨论输入特性曲线时,应使vCE=const(常数)。vCE的影响,可以用三极管的内部的反馈作用解释,即vCE对iB的影响。共发射极接法的输入特性曲线见。其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE≥1V时, vCB= vCE - vBE>0,集电结已进入反偏状态,开始收集电子,且基区复合减少, IC / IB增大,特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时,曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致,右移不明显说明内部反馈很小。晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管基本的和重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。根据三极管的作用我们分析它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时,在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流,即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化,并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就是三极管的放大作用。三极管的作用还有电子开关,配合其它元件还可以构成振荡器,此外三极管还有稳压的作用。三极管有NPN和PNP两种结构形式,但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管。上海瞬变抑制三极管特点
三极管基本的和重要的特性。上海瞬变抑制三极管特点
大功率三极管大功率三极管一般是指耗散功率大于1瓦的三极管。可普遍应用于高、中、低频功率放大、开关电路,稳压电路,模拟计算机功率输出电路。常见的大功率三极管的特点是工作电流大,而且体积也大,各电极的引线较粗而硬,集电极引线与金属外壳或散热片相连。这样金属外壳就是管子的集电极,塑封三极管的自带散热片也就成为集电极了。大功率三极管根据其特征频率的不同分为高频大功率三极管(f(t)>3mhz)和低频大功率三极管 (f(t)<(3mhz)。上海瞬变抑制三极管特点
深圳市盟科电子科技有限公司是一家有着雄厚实力背景、信誉可靠、励精图治、展望未来、有梦想有目标,有组织有体系的公司,坚持于带领员工在未来的道路上大放光明,携手共画蓝图,在广东省等地区的电子元器件行业中积累了大批忠诚的客户粉丝源,也收获了良好的用户口碑,为公司的发展奠定的良好的行业基础,也希望未来公司能成为行业的翘楚,努力为行业领域的发展奉献出自己的一份力量,我们相信精益求精的工作态度和不断的完善创新理念以及自强不息,斗志昂扬的的企业精神将引领深圳市盟科电子供应和您一起携手步入辉煌,共创佳绩,一直以来,公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针,员工精诚努力,协同奋取,以品质、服务来赢得市场,我们一直在路上!
深圳市盟科电子科技有限公司座落于深圳市宝安区,成立于2010年,占地面积10000余平方米,是一家专业的半导体研发制造商。我司专注于半导体元器件的研发、生产、加工和销售。作为国家高新技术企业,凭借多年的经验和发展,现已达年产25亿只生产规模。 我司主营场效应管,二极管,三极管,稳压电路,晶闸管,可控硅等半导体元器件,超过8种封装如:SOT-23,SOT-23-3L,SOT-23-5L,SOT-23-6L,TO-252,TO-251,SOT-89,SOT-223等。产品广泛应用于移动通信,计算机,电源,节能灯,玩具,仪器仪表,家用电器,工业自动化设备等领域,且可承接OEM / ODM定制。 先后通过了欧盟REACH-SVHC 211项环保检测和RoHS认证,也通过了ISO9001:2015质量管理体系认证,确保产品符合国际标准。 以人为本、团队化合作、人性化管理为理念、让客户满意为宗旨,不断开拓创新,竭诚与各界同仁同力合作。











