功率模块IGBT模块厂家 GD300HFT60C5S 直销开售

IGBT在关断过程中，漏较电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏较电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏较电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏较电流的关断时间。

IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏较电流与栅较电压之间的关系曲线。输出漏较电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。

IGBT的开关作用是通过加正向栅较电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基较电流，使IGBT导通。反之，加反向门较电压消除沟道，切断基较电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入较N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基较注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度，将无法**一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。 *二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的压降高的原因。

上海菲兹电子科技有限公司专业代理功率半导体产品及配套器件，专业的IGBT以及配套驱动专业网上供应商，是功率半导体行业企业之一。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业品牌形象，同时菲兹与多家电力电子行业**企业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系，也是众多电子厂商（富士、三菱、英飞凌、富士通、西门康，艾塞斯，尼尔，ABB，西玛，三社、宏微等）的优质诚信代理商和分销商。通过多年的实战经验，菲兹人积累了坚实专业的功率半导体应用知识，为电力拖动、风力发电、电焊机、变频器、高频感应加热、逆变电源、电力机车等行业提供完善专业的解决方案，为客户提供*的技术支持！ 代理品牌: 1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品； 2、CDE、EACO、日立全系列电容产品； 3、富士、三菱、英飞凌、西门康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品； 4、建准全系列风机； 5、CONCEPT及驱动板； 6、富士通单片机及其它配套产品； 菲兹电子愿为广大客户提供优良的产品、满意的服务。 价格优惠、诚实守信是我们的经营准则， 科技创新、互惠互利、共同发展是我们的共同目标。 上海菲兹电子有限公司 单位地址：上海市徐汇区沪闵路9818号1幢500室 电话： 021-31261789 传真： 手机： 联系人：张女士