西门康IGBTIGBT模块厂家 6MBI35S-120 供应发售

IGBT 的转移特性是指输出漏较电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏较电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。栅源电压受漏较电流限制，其值一般取为15V左右。

IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的**装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功*二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。

IGBT的开关速度**MOSFET，但明显**GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅较和**较并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅较电压的增加而降低。

IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。

上海菲兹电子科技有限公司专业代理功率半导体产品及配套器件，专业的IGBT以及配套驱动专业网上供应商，是功率半导体行业企业之一。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业品牌形象，同时菲兹与多家电力电子行业**企业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系，也是众多电子厂商（富士、三菱、英飞凌、富士通、西门康，艾塞斯，尼尔，ABB，西玛，三社、宏微等）的优质诚信代理商和分销商。通过多年的实战经验，菲兹人积累了坚实专业的功率半导体应用知识，为电力拖动、风力发电、电焊机、变频器、高频感应加热、逆变电源、电力机车等行业提供完善专业的解决方案，为客户提供*的技术支持！ 代理品牌: 1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品； 2、CDE、EACO、日立全系列电容产品； 3、富士、三菱、英飞凌、西门康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品； 4、建准全系列风机； 5、CONCEPT及驱动板； 6、富士通单片机及其它配套产品； 菲兹电子愿为广大客户提供优良的产品、满意的服务。 价格优惠、诚实守信是我们的经营准则， 科技创新、互惠互利、共同发展是我们的共同目标。 上海菲兹电子有限公司 单位地址：上海市徐汇区沪闵路9818号1幢500室 电话： 021-31261789 传真： 手机： 联系人：张女士