• 小型二极管厂 MDR250A40L

    小型二极管厂 MDR250A40L

  • 2022-01-06 15:50 28
  • 产品价格:面议
  • 发货地址:上海市奉贤区化学工业区奉贤分区包装说明:不限
  • 产品数量:不限产品规格:不限
  • 信息编号:79883980公司编号:4232772
  • 林女士 经理
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    产品描述
    反向击穿
    齐纳击穿
    反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。
    POWEREX二极管
    CD410830
    CD410860 
    CD410899B 
    CD410899C 
    CD411099B 
    CD411099C 
    CD411230 
    CD411260 
    CD411299B 
    CD411299C 
    CD411499B 
    CD411499C 
    CD411630 
    CD411660 
    CD411699B 
    CD411699C 
    CD411899C 
    CD412099C 
    CD412299C 
    CD412499C 
    CD412599C 
    CD420840B 
    CD420860B
    CD420890B 
    CD420890C 
    CD421090B 
    CD421090C 
    CD421240B 
    CD421260B 
    CD421290B
    CD421290C 
    CD421440B
    CD421460B 
    CD421490B 
    CD421490C 
    CD421640B 
    CD421660B
    CD421690B 
    CD421690C 
    CD421840B 
    CD421860B 
    CD421890B 
    CD421890C 
    CD430840B 
    CD430860B 
    CD430890B
    CD430890C 
    CD431090B 
    CD431090C 
    CD431240B 
    CD431260B 
    CD431290B
    CD431290C 
    CD431440B 
    CD431460B 
    CD431490B 
    CD431490C 
    CD431640B 
    CD431660B 
    CD431690B 
    CD431690C 
    CD431840B 
    CD431860B 
    CD431890C 
    CD470890B 
    CD471290B 
    CD471490B 
    CD471690B 
    CD471890B
    CD510825
    CD511225
    CD511625
    CD610816B
    CD610816C
    CD611016B
    CD611016C
    CD611216B
    CD611216C
    CD611416B
    CD611416C
    CD611616B
    CD611616C
    CD611816B
    CD611816C
    CD612016B
    CD612016C
    CD612216B
    CD612216C
    CD612416C
    CD612516C
    CD612616C
    CD612816C
    CD613016C
    CD613216C
    CD613416C
    CD613616C
    CD620815B
    CD620815C
    CD621015B
    CD621015C
    CD621215B
    CD621215C
    CD621415B
    CD621415C
    CD621615B
    CD621615C
    CD621815B
    CD621815C
    CD622015C
    CD622215C
    CD622415C
    CD622515C
    CD630815B
    CD630815C
    CD631015B
    CD631015C
    CD631215B
    CD631215C
    CD631415B
    CD631415C
    CD631615B
    CD631615C
    CD631815B
    CD631815C
    CD632015C
    CD632215C
    CD632415C
    CD632515C
    CM531613 
    CM531620 
    CS410899B 
    CS411299B 
    CS411499B 
    CS411699B 
    CS411899B 
    CS610816B 
    CS610816C 
    CS611016C 
    CS611216B 
    CS611216C
    CS611416B
    CS611416C
    CS611616B
    CS611616C
    CS611816B
    CS611816C
    CS612016C 
    CS612216C 
    CS612416C 
    CS612516C
    CS612616C
    CS612816C
    CS613016C
    CS613216C
    CS613416C
    CSD3080H
    CSD3120H
    CSD3160H
    CT220802
    CT230802
    LD410860
    LD411260
    LD411460
    LD411660
    LD411860
    LD412060
    LD412260
    LD412460
    LD412660
    LD420850
    LD421250
    LD421450
    LD421650
    LD421843
    LD422043
    LD422243
    LD430850
    LD431250
    LD431450
    LD431650
    LD431843
    LD431850
    LD432043
    LD432243
    LD470850
    LD471250
    LD471450
    LD471650
    小型二极管厂
    主要参数
    用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:
    1、整流电流IF
    是指二极管长期连续工作时,允许通过的正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度**过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要**过二极管整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
    2、反向工作电压Udrm
    加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
    3、反向电流Idrm
    反向电流是指二极管在常温(25℃)和反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
    4.动态电阻Rd
    二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
    5工作频率Fm
    Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样,其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是**过此值。则单向导电性将受影响。
    6,电压温度系数αuz
    αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好
     EUPEC二极管模块:DD Series---- Diode / Diode Phase Control  双二极管模块
    DD89N12K
    DD89N14K
    DD89N16K
    DD89N18K  
    DD98N20K
    DD98N22K
    DD98N24K
    DD98N25K  
    DD104N12k
    DD104N14k
    DD104N16k
    DD104N18K  
    DD106N12K
    DD106N14K
    DD106N16K
    DD106N18K
    DD106N20K
    DD106N22K  
    DD151N12K
    DD151N14K
    DD151N16K
    DD151N18K
    DD151N20K
    DD151N22K  
    DD171N12K
    DD171N14K
    DD171N16K
    DD171N18K  
    DD175N28K
    DD175N30K
    DD175N32K 
    DD175N34K  
    DD231N20K
    DD231N22K
    DD231N24K
    DD231N26K  
    DD260N12K
    DD260N14K
    DD260N16K
    DD260N18K  
    DD261N22K
    DD261N24K
    DD261N26K  
    DD285N04K
    DD285N06K
    DD285N08K  
    DD350N12K
    DD350N14K
    DD350N16K
    DD350N18K  
    DD435N28K
    DD435N30K
    DD435N32K
    DD435N34K
    DD435N36K
    DD435N38K
    DD435N40K  
    DD540N20K
    DD540N22K
    DD540N24K
    DD540N26K  
    DD600N12K
    DD600N14K
    DD600N16K
    DD600N18K
    小型二极管厂
    晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
    sirectifier二极管
    二极管模块
    SDD36N08
    SDD36N12
    SDD36N14
    SDD36N16
    SDD36N18
    SDD36N08B
    SDD36N12B
    SDD36N14B
    SDD36N16B
    SDD36N18B
    SDD60N08
    SDD60N12
    SDD60N14
    SDD60N16
    SDD60N18
    SDD60N08B
    SDD60N12B
    SDD60N14B
    SDD60N16B
    SDD60N18B
    SDD70N08
    SDD70N12
    SDD70N14
    SDD70N16
    SDD70N18
    SDD70N08B
    SDD70N12B
    SDD70N14B
    SDD70N16B
    SDD70N18B
    SDD100N08
    SDD100N12
    SDD100N14
    SDD100N16
    SDD100N18
    SDD100N08B
    SDD100N12B
    SDD100N14B
    SDD100N16B
    SDD100N18B
    SDD120N08
    SDD120N12
    SDD120N14
    SDD120N16
    SDD120N18
    SDD120N08B
    SDD120N12B
    SDD120N14B
    SDD120N16B
    SDD120N18B
    SDD165N08
    SDD165N12
    SDD165N14
    SDD165N16
    SDD165N18
    SDD165N08B
    SDD165N12B
    SDD165N14B
    SDD165N16B
    SDD165N18B 
    SDD190N08
    SDD190N12
    SDD190N14
    SDD190N16
    SDD190N18
    SDD190N08B
    SDD190N12B
    SDD190N14B
    SDD190N16B
    SDD190N18B
    SDD253N08
    SDD253N12
    SDD253N14
    SDD253N16
    SDD253N18
    SDD253N08BT
    SDD253N12BT
    SDD253N14BT
    SDD253N16BT
    SDD253N18BT
    SDD320N08
    SDD320N12
    SDD320N14
    SDD320N16
    SDD320N18
    SDD320N08BT
    SDD320N12BT
    SDD320N14BT
    SDD320N16BT
    SDD320N18BT
    SDD600N08BT
    SDD600N14BT
    SDD600N18BT
    SDD600N16BT
    SDD600N12BT
    SDD500N16
    SDD500N12
    SDD250N16
    SDD250N12
    SDD181N16
    SDD181N12
    SDD27N16
    SDD27N12
    SDD18N16
    SDD18N12
    SDD800N18PT
    SDD800N08PT
    SDD800N12PT
    SDD800N16PT
    SDD800N14PT
    小型二极管厂
    正向性
    外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压**过一定数值  ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。  叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
    供应全新原装IXYS二极管模块
    MDA72-08N1B
    MDA72-12N1B 
    MDA72-14N1B 
    MDA72-16N1B
    MDD26-08N1B 
    MDD26-12N1B
    MDD26-14N1B 
    MDD26-16N1B 
    MDD26-18N1B 
    MDD44-08N1B 
    MDD44-12N1B
    MDD44-14N1B 
    MDD44-16N1B
    MDD44-18N1B
    MDD56-08N1B 
    MDD56-12N1B
    MDD56-14N1B 
    MDD56-16N1B 
    MDD56-18N1B
    MDD72-08N1B 
    MDD72-12N1B
    MDD72-14N1B 
    MDD72-16N1B
    MDD72-18N1B
    MDD95-08N1B 
    MDD95-12N1B 
    MDD95-14N1B 
    MDD95-16N1B
    MDD95-18N1B 
    MDD95-20N1B
    MDD95-22N1B
    MDD142-08N1 
    MDD142-12N1 
    MDD142-14N1 
    MDD142-16N1 
    MDD142-18N1
    MDD172-08N1 
    MDD172-12N1 
    MDD172-14N1 
    MDD172-16N1 
    MDD172-18N1
    MDD220-08N1 
    MDD220-12N1 
    MDD220-14N1 
    MDD220-16N1
    MDD220-18N1
    MDD250-08N1 
    MDD250-12N1
    MDD250-14N1 
    MDD250-16N1
    MDD255-12N1
    MDD255-14N1 
    MDD255-16N1
    MDD255-18N1 
    MDD255-20N1
    MDD255-22N1 
    MDD310-08N1 
    MDD310-12N1 
    MDD310-14N1 
    MDD310-16N1 
    MDD310-18N1
    MDD310-20N1 
    MDD310-22N1 
    MDD312-12N1 
    MDD312-14N1 
    MDD312-16N1
    MDD312-18N1 
    MDD312-20N1 
    MDD312-22N1 
    MDD600-12N1 
    MDD600-16N1
    MDD600-18N1 
    MDD600-22N1 
    MDD950-12N1W 
    MDD950-16N1W 
    MDD950-18N1W
    MDD950-22N1W 
    MDO500-12N1
    MDO500-14N1 
    MDO500-16N1 
    MDO500-18N1
    上海秦邦电子科技有限公司成立于2000年,自创办以来,以市场为导向,积累了丰富的营销经验。并长年备有现货库存,业务遍布全国各地!产品应用范围遍及信息通讯、仪器仪表、航天**、船舶消防、科研实验等各大领域!我们秉承:诚信为本!互惠互利! 质量**!信誉**!的企业理念,将一如既往的为您服务,您的满意是我们永远的追求!相信以我们的诚信优质优价完善*的服务会让您满意和信赖的! 是一家专业性的功率模块半导体供应商,销售世界**电子元器件,长期备有现货库存,公司的主要经营对象有变频器及配套设备,电力电子器件,功率模块及电源模块。多年的诚信销售使得产品被广泛应用于冶金、矿山、风电、电镀、电解、交通、电焊机、电力、医疗器械等行业的装置中。现企业在大陆已发展成为集产品研发、生产制造、商贸、进出口、投资及网络销售于一体的综合型企业。公司优质的产品质量,遍布国内的销售网络,**周到的售后服务博得国内外用户的一致**。优势代理产品为大功率平板式晶闸管、可控硅、二极管、IGBT、整流桥、驱动板、快恢复二极管品牌如EUPEC、西门康、西码、三菱、ABB、三社、IR、明纬开关电源等国外功率模块。在国内严格按照**标准生产:ZP型普通整流管、ZK型快速整流管、KP型普通晶闸管、 KS型双向晶闸管、KK型快速晶闸管、KG型高频晶闸管、桥式整流器、电力模块、肖特基模块、 SF**快恢复二极管、电焊机**模块、固态继电器、固态调压器、型材散热器等电力半导体器件。期待与贵公司的合作! 

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    主要经营英飞凌IGBT模块。
    本公司主营:电子 电子有源器件 二极管模组 等产品,是优秀的电子产品公司,拥有最优秀的高中层管理队伍,他们在技术开发、市场营销、金融财务分析等方面拥有丰富的管理经验,选择我们,值得你信赖!

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