SD 300C 04 -32C
SD 400C 04,08,12,16,20, 24C
SD 1100C04-32C
SD 700C30,36,45L
SD 800C24,30,36,40, 45L
SD 1100C 04 -32L
SD 1500C 04 -30L
SD 2000C04,08, 10L
SD 1700C24,30,36,45K
SD 2500C12,16,20,25K
SD 3000C04,08,10K
SD 4000C30,34,40R
SD 6000C12,16,24R
关键字:西门康IGBT西门康SEMIX系列IGBT西门康SKM系列IGBT西门康SKIIP系列IGBT西门康SKIIP系列模块
平板可控硅
SEMIKRON赛米控平板可控硅
IR/Vishay平板可控硅
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PROTON普拉动平板平板可控硅
PRX平板可控硅
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DYNEX丹尼克斯平板可控硅
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三菱平板可控硅
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电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三个电极,用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成
(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:
(1〕受正向阳极电压;
(2)受正向门较电压。
(3)可控硅导通后,当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。
(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线,2.门较伏安特性区。
(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:
主要参数编辑电流⒈ 额定通态电流(IT)即稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。⒉反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。⒊ 控制较触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。4,在规定环境温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的电流平均值。
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