ST103S08PFN2螺栓可控硅 2N1792

怎么用万用表判断可控硅的好坏？
首先我们看看可控硅的结构及工作原理
可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制较G决定。在控制较G上加正脉冲（或负脉冲）可使其正向（或反向）导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
怎么用万用表判断可控硅的好坏
1、可控硅结构
可控硅具有三个PN结（J1、J2、J3），构成了四层P1N1P2N2结构，如下图所示。可控硅对外有三个电极，由层P型半导体引出的电极称为阳极A，由*三层P型半导体引出的电极称为控制较G，由*四层N型半导体引出的电极称为阴极K，其中控制较G的存在使得可控硅的工作特性不同于二极管。
2、可控硅工作原理
在分析可控硅工作原理时，我们经常将这种四层P1N1P2N2结构看作由一个PNP管和NPN管构成。
当阳极A端加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态，此时由控制较G端输入正向触发信号，使得BG2管有基较电流ib2通过，经过BG2管的放大后，其集电极电流为ic2=β2ib2。而ic2沿电路流至BG1的基较，故有ib1=ic2，电流又经BG1管的放大作用后，得到BG1的集电极电流为ic1=β1ib1=β1β2ib2。此电流又流回BG2的基较，使得BG2的基较电流ib2，从而形成正向反馈使电流剧增，进而使得可控硅饱和并导通。由于在电路中形成了正反馈，所以可控硅一旦导通后无法关断，即使控制较G端的电流消失，可控硅仍能继续维持这种导通的状态。

可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制较(G)。当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。当器件的阳极上加正电位时(若控制较不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。加在可控硅阳极和阴极间的电压**转折电压时，器件处于关闭状态。此时如果在控制较上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。可控硅一旦导通，控制较便失去其控制作用。就是说，导通后撤去栅较电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到**某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。

智能可控硅模块在各行业的应用广泛，如;电解、电镀、调温、调光、电焊、蓄电池充放电、直流电机调速、交流电机软起动、稳压电源装置、励磁等。据有关单位提供的信息来看，智能可控硅模块主要有以下特点：
1、采用进口玻璃钝化方芯片，模块导通压降小，功耗低，节能效果显着。
2、控制触发电路采用进口贴片元器件组装，全部元器件进行高温老化筛选，可靠性高。
3、采用陶瓷覆铜工艺，焊接工艺特，绝缘强度高，导热性能好，电流承载能力大，热循环负载次数是标准的进10倍。
4、控制触发电路，主电路，导热底板之间相互绝缘，介电强度≥2500ⅤAC 导热底板不带电，安全可靠。
5、控制端口输入0-10V直流信号，可对主电路输出进行平滑调节。
6、控制方式可为：手动电位器控制;仪表控制;微机控制;PLC控制等。
7、适用于阻性或感性负载。

可控硅的好坏如何判断？
方法一：测量较间电阻法
将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆  时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之：
1、若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；
2、如果测得T1－G之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制较G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。
方法二：检查触发导通能力A
万用表置于R×10档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果结果同上，也双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。
方法三：检查触发导通能力B
取一只10uF左右的电解电容器，将万用表置于R×10k档(V电压)，对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2(b)连接好后进行测试。测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与“方法二’相同，就双向可控硅是好的。
应用此法判断双向可控硅的触发导通能力较为可靠。由于电解电容器上充的电压较高，使触发信号，较利于判断大功率双向可控硅的触发能力。

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