进口化学气相沉积设备-沈阳鹏程有限公司

化学气相沉积法在金属材料方面的使用

以下内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，今天我们来分享化学气相沉积的相关内容，希望对**业的朋友有所帮助！

化学气相沉积法生产几种金属薄膜

金属薄膜因其有着较好的高导电率、强催化活性以及较其稳定引起了研究者的兴趣。和生成金属薄膜的其他方式相比，化学气相沉积法有更多技术优势，所以大多数制备金属薄膜都会采用这种方式。沉积金属薄膜用的沉积员物质种类比较广泛，不过大多是金属元素的卤化物和**化合物，进口化学气相沉积设备，比如COCl2、氯化碳酰铂、氯化碳酰铱、DCPD化合物等等。

Goto 团队在金属薄膜用作电极材料上做了大量的工作。他们所使用的衬底材料有蓝宝石、石英玻璃以及氧化钇稳定化的二氧化锆（YSZ）等等。在成沉积时往装置中通入氧气是为了*掉原料因热分解产生的碳，并制备出较有金属光泽的金属薄膜，如若不然则得到的就是铱碳簇膜，也就是纳米等级被晶碳层所包裹的铱颗粒。沉积在YSZ 上面的铱碳簇膜有着较好的电性能和催化活性。在比较低的温度下，铱碳簇膜的界面电导率能达到纯铱或者纯铂的百倍以上。金属和炭组成的簇膜是一种输送多孔催化活性强的簇膜，进口化学气相沉积设备报价，在电极材料上的使用在未来将很有潜力。

ICP刻蚀机的检测技术

预报式检测

随着主流半导体工艺技术由0.18 μm 逐渐转移到0.13 μm工艺，以及较新的90 nm 工艺成功研发及投入使用。半导体器件的特征尺寸进一步减小，栅氧层的厚度越来越薄。90 nm工艺中，栅氧层的厚度仅为1.2 nm。如果等离子体刻蚀工艺控制不好， 则非常*出现栅氧层的损伤；同时， 所使用的晶片尺寸增至300mm，进口化学气相沉积设备价格， 暴露在等离子体轰击下的被刻蚀面积不断缩小，所检测到的终点信号的强度下降，信号的信噪比降低。所有这些因素都对终点检测技术本身及其测量结果的**性提出了较加严格的要求。在0.18 μm工艺时，使用单一的OES检测手段就可满足工艺需求;进入0.13 μm 工艺后，就**结合使用OES 及IEP 两种检测手段。由于IEP技术可以在刻蚀终点到达之前进行预报，因而被称为预报式终点检测技术。

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物理气相沉积和化学气相沉积的区别

化学气相沉积过程中有化学反应，多种材料相互反应，生成新的的材料。

物理气相沉积中没有化学反应，材料只是形态有改变。

物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。

化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜，又可按要求制造多成分的合金膜，成膜速度快，膜的绕射性好

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