等离子化学气相沉积设备公司-沈阳鹏程-等离子化学气相沉积设备

化学气相沉积的特点有哪些？

? 高温石英管反应器设计

? 温度范围：室温到1100度

? 多路气体准确控制

? 标准气压计

? 易于操作

? 可配机械泵实现低压TCVD

? 可用于制备金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜

? 液体前驱体喷头

沈阳鹏程真空技术有限责任公司本着多年化学气相沉积行业经验，专注化学气相沉积研发定制与生产，等离子化学气相沉积设备公司，**的化学气相沉积生产设备和技术，建立了严格的产品生产体系，想要更多的了解，欢迎咨询图片上的热线电话！！！

等离子体增强化学气相沉积的主要过程

沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产、销售化学气相沉积，我们为您分析该产品的以下信息。

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于PECVD技术是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来，采用PECVD技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：

**，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，等离子化学气相沉积设备多少钱，形成离子和活性基团的混合物；

其二，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应；

然后，等离子化学气相沉积设备厂家，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。

ICP刻蚀机简介

以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产化学气相沉积，欢迎新老客户莅临。

一．系统概况

该系统主要用于常规尺寸样片（不**过Φ6）的刻蚀，可刻蚀的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、

硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻

蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：

1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；

2.真空室组件及配备零部件全部采用铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，

内腔尺寸Ф340mm×160mm；

3.极限真空度：≤6.6x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用FF160/600分子泵抽气)；

系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；

系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；

停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa；

4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；

5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；

7.ICP头尺寸：340mm mm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；

8. 沉积工作真空：1-20Pa；

9. 气路设有匀气系统，等离子化学气相沉积设备，真空室内设有**抽气均匀性抽气装置；

10. 射频电源：2台频率 13.56MHz，功率600W，全自动匹配；

11. 6路气体，共计使用6个质量流量控制器控制进气。

气体：氦气/氧气/四氟化碳/六氟化硫

12. 刻蚀速率

SiO2：≥0.5μm/min

Si：≥1μm/min

光刻胶：≥1μm/min

13. 刻蚀不均匀性：

**±5%（Φ4英寸范围内）

**±6%（Φ6英寸范围内）

14. 选择比

CF4的选择比为50，

等离子化学气相沉积设备公司-沈阳鹏程-等离子化学气相沉积设备由沈阳鹏程真空技术有限责任公司提供。沈阳鹏程真空技术有限责任公司是从事“电阻热蒸发镀膜，磁控溅射，激光脉冲沉积，电子束”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供较好的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：董顺。

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