SGM2036-0.8Y**G/TRLDO SGM2036-2.7Y**G/TR

近几年来，随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低，体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次，对于中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1MHz，还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等。

The SGM2200 series is a set of low power high voltage regulators implemented in CMOS technology. These devices allow input voltages as high as 26.4V. The SGM2200 series is available in several fixed and adjustable output voltages. CMOS technology ensures low dropout voltage and low quiescent current.
Although designed primarily as fixed voltage regulators, these devices can be used with external components to obtain variable voltages and currents.
The SGM2200 series is available in Green SOT-89-3, SOT-23, TSOT-23-5 and SC70-5 packages. It operates over an ambient temperature range of -40℃ to +85℃.

低压差线性稳压器（LDO）是应用广且长期的集成电路之一，其具有噪声低、静态电流小、元器件少、成本低等优点，近年来更被广泛应用于各类采用电池供电的便携式电子设备中，如智能手机、iPad、蓝牙耳机等。圣邦微电子多年来为业界提供了种类多样的高性能低压差线性稳压器，如低功耗高压稳压器、高精度低噪声低功耗低压差线性稳压器等系列产品，满足了客户多方面的需求。

LDO 是一种线性稳压器，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。

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