T953-800-52-N-K

可控硅与晶闸管有什么区别？
晶闸管(THYRISTOR)又名可控硅，属于功率器件领域，是一种功率半导体开关元件，可控硅是其简称，按其工作特性，可控硅可分为单向可控硅(SCR)、双向可控硅(TRIAC)。可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极、阳极A、阴极K和控制较G。可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。
单向可控硅有三个PN结，由外层的P较和N较引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P较引出一个控制较。单向可控硅有其特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制较不加电压时，它都不导通，而阳极和控制较同时接正向电压时，它就会变成导通状态。一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。
双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列(电极引脚向下，面对有字符的一面时)。加在控制较G上的触发脉冲的大小或时间改变时，就能改变其导通电流的大小。与单向可控硅的区别是，双向可控硅G较上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。电子制作中常用可控硅，单向的有MCR-100等，双向的有TLC336等双向可控硅按象限来分，又分为四象三端双向可控硅、三象限双向可控硅;按封装分：分为一般半塑封装，外绝缘式全塑封装;按触发电流来分：分为微触型、高灵敏度型、标准触发型;按电压分：常规电压品种、高压品种。可控硅产品由于它在电路应用中的效率高、控制特性好、寿命长、体积小、功能强等优点，自上个世纪六十长代以来，获得了迅猛发展，并已形成了一门立的学科。“晶闸管交流技术”。可控硅发展到今天，在工艺上已经非常成熟，品质较好，成品率大幅提高，并向高压大电流发展。
可控硅在应用电路中的作用体现在：可控整流：如同二极管整流一样，将交流整流为直流，并且在交流电压不变的情况下，有效地控制直流输出电压的大小即可控整流，实现交流→可变直流之转变;无触点功率静态开关(固态开关)：
作为功率开关元件，可控硅可以代替接触器、继电器用于开关频率很高的场合。因此可控硅元件被广泛应用于各种电子设备和电子产品的电路中，多作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等用途。家用电器中的调光灯、调速风扇、冷暖空调器、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、声控电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、以及玩具装置、电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等工业控制领域等都大量使用了可控硅器件。在这些应用电路中，可控硅元件多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。

本公司长期供应三菱（MITSUBISHI）、富士（FUJI）、欧派克（EUPEC）、西门康（SEMIKRON）、西码（WESTCODE）、三社（SANREX） 、ABB公司现代功率器件（IGBT、GTR、IPM、PIM、GTO、单,双向可控硅、平板系列模块、熔断器等。具体型号如下：
西码平板可控硅
N0606YC200
N0606YC240
N0606YC250
N0606YC200
N0606YC240
N0606YC250
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N1042LC180 
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N0465WN160
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西码平板可控硅
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K3503FD480
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晶闸管的使用注意事项
选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。
1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不**过相应电流下的允许值。
2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。
3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。
4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层**硅油或硅脂，以帮于良好的散热。
5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。
6、要防止可控硅控制较的正向过载和反向击穿。

晶闸管损坏原因判断
当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。
1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制较上。
3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制较附近或就在控制较上。
4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

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