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电子三极管 triode （俗称电子管的一种）
双极型晶体管 bjt （bipolar junction transistor）
j型场效应管 junction gate fet（field effect transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 mos fet ( metal oxide semi-conductor field effect transistor)英文全称
v型槽场效应管 vmos （vertical metal oxide semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、v型槽沟道场效应管 是 单极（unipolar）结构的，是和 双极（bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（unipolar junction transistor）
其中j型场效应管是非绝缘型场效应管，mos fet 和vmos都是绝缘型的场效应管
vmos是在 mos的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了v型槽，使mos管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了mos的输入电容，是mos管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的mos发生了巨大的差异。vmos只有增强型的而没有mos所特有的耗尽型的mos管

当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

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IC_SN74AVC1T45DRLR_SOT_M00172 贴片通信IC_88L1000-A1-NMC2I000-P123_QFN- 贴片通讯IC_TPS61161DRV_QFN_RoHS贴片电源IC_TPS65185RGZT_QFN_RoHS_M00172贴片
通信IC_EFCH8894TDV6_1.8×1.4_RoHS_M0芯片DualLDO,Vout=1.8/3.0v,300mA,USP-6B 贴片驱动IC_SGM3726YTDI6G/TR_TDFN_RoHS_M0 通信IC_39200138_HHH_BS贴片开
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IC_RT9718CGQW_WDFN_RoHS贴片通信IC_STLC2690WTR_WLCSP_RoHS_M00321贴片保护IC_AOZ8070DI_QFN_RoHS_M00092贴片转换IC_SSD2805DG39_TFBGA_RoHS+HF_M00贴片通
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T_TQFN_M00029 贴片运放IC_RF7418TR7_3.0×3.0×1.0_RoH 贴片功放IC_RPF89007B_8×6×1_RoHS芯片贴片开关IC_QFE-2550-0-21WLNSP-TR-01-0_2.通用运放
IC2_824~915M1710~1910MHz_Module 贴片传感IC_G781P8f_MSOP-8_RoHS_M00137  贴片电源IC_88PM800-D0-BPI2C000-T_BGA_RoH 贴片通信IC_CEG231G95ECB1

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