南通FS10R12YT3IGBT模块

判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极(C)，红表笔接IGBT 的**较(E)，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅较(G)和集电极(C)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅较(G)和**较(E)，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。

SDB--IGBT
鉴于目前厂家对IGBT的开发非常重视，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接键合）技术，在IC生产线上制作*四代高速IGBT及模块系列产品，特点为高速，低饱和压降，低拖尾电流，正温度系数易于并联，在600V和1200V电压范围性能优良，分为UF、RUF两大系统。

IGBT功率模块
IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的**装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，进步系统效率，现已开发成功*二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。

**快速IGBT
**整流器IR公司的研发重点在于减少IGBT的拖尾效应，使其能快速关断，研制的**快速IGBT可大限度地减少拖尾效应，关断时间不**过2000ns，采用高能照射分层技术，关断时间可在100ns以下，拖尾较短，重点产品专为电机控制而设计，现有6种型号，另可用在大功率电源变换器中。

企业主要销售IGBT 可控硅、晶闸管、GTR、IPM、PIM、快恢复二极管、整流桥、电解电容、 驱动电路、MOSFET 。 追求，诚信为商是我们企业宗旨，热忱欢迎广大客户选用我们的产品。我们将以现近的技术、**周到的服务，希望同广大客户和*们一道努力，致力于中国电力电子技术产品的发展和进步  国内ZP型普通整流管、ZK型 快速整流管、KP型普通晶闸管、 KS型双向晶闸管、KK型快速晶闸管、KG型高频晶闸管、桥式整流器、电力模块、肖特基模块、 SF**快恢复二极管、电焊机模块、固态继电器、固态调压器、型材散热器等电力半导体器件。 期待与贵公司的合作！