CGHV22100F cree代理

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优势产品系列：
CGHV14800
CGHV96050F2 
CMPA5585025D 
CMPA0060025D 
CMPA0060002F 
CMPA0060025F
CMPA601C025D 
CMPA601C025F 
CMPA2560025F 
CGH40006P
CGH40025 
CGH40035 
CGH40010 
CGH40006S 
CGH40045 
CMPA801B025 
CMPA0060002D
CGHV22100 
CGH35060F
CGH35030 
CGH35015 
CGH09120F 
CMPA5585025F 
CGHV27030S
CGHV27015S 
CGH27060 
CGH27030S 
CGH27030 
CGH27015 
CGHV40050 
CGH40090PP
CMPA2735075F
CGHV96100F2 
CGHV59350 
CGHV35150 
CGHV31500F

CGHV50200F和CGHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的特性和优势：
• 氮化镓高迁移率晶体管
• 工作频率分别为4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz
• 典型输出功率分别为200W和50W
• 功率增益系数分别为典型值为11.5dB和小可达到13dB
• 工作电压40V，源漏电压分别为125V和100V
• 工作温度为-40℃~150℃
• 热阻抗分别为0.81℃/W和2.16℃/W
• 50Ω终端阻抗
CGHV50200F和GHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域：
• 卫星通讯
• **视距通信

英飞凌（Infineon）宣布以8.5亿美元收购科锐（Cree）旗下Wolfspeed的全部资产，包括其基于碳化硅（SiC）的功率解决方案与碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）的射频功率解决方案，制造碳化硅衬底的**技术，近2000项**与550名员工。用英飞凌执行官Reinhard Ploss的话说就是：“收购Wolfspeed以后，我们将成为**大的碳化硅功率半导体厂商，在射频功率领域我们也**会争。”
Wolfspeed作为科锐宽禁带（wide bandgap）半导体产品部门已经有将近三十年的历史，主要从事碳化硅、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料的技术研究与制造生产。2015年9月科锐宣布准备将Wolfspeed拆分出来独立上市，但是1月份又宣布上市计划推迟，如今干脆将其卖给了英飞凌。
碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体是*、大功率工业设备与毫米波通信等产业的**。相比硅和化镓（GaAs）等材料，碳化硅和氮化镓等宽禁带材料击穿电场强度大、饱和电子迁移率高、热稳定性好、介电常数小、抗辐射能力强等特点，能够大幅提升电子器件在高压、高频、高功率环境下的性能，在工业、军事、新能源、电动汽车等领域应用前景巨大。
以碳化硅为例，碳化硅的击穿电场强度是传统硅器件的9倍多，使用碳化硅工艺生产的功率器件导通电阻较低，芯片尺寸较小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工 作频率较高，也能够耐受较高的环境温度。在高压功率市场，碳化硅器件简直是IGBT的替代者，但是为何到目前为止，IGBT仍然占据主流应用呢？
 就是成本。据ROHM半 导体分立器件部水原德健曾介绍，在2015年，同一规格的产品，碳化硅器件的价格是原有硅器件的5至6倍。这么高的价格自然阻碍了碳化硅功率器件的应 用推广，用户只有在对性能与可靠性要求较为严苛时，才会考虑使用碳化硅产品。2014年**硅功率器件市场规模大约为100亿美元左右，但是碳化硅功率器 件市场则仅有1.2亿美元。

CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃，存储温度为-65℃至150℃，大结温为225℃，使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中，热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W，器件在高温环境中具有良好的散热性能。