HMC584LP5E微波射频

就在工信部发放5G拍照**周，ADI宣布推出一款面向毫米波 (mmWave) 5G 基础设施的新型解决方案，该解决方案整合了 ADI 的波束成形 IC、上/下变频 (UDC) 和其它混合信号电路，宣称拥有目前高的集成度，以降低下一代蜂窝网络基础设施的设计要求和复杂性。
这款新型毫米波 5G 芯片组包括16通道ADMV4821双/单较化波束成形IC，和16 通道单较化波束成形芯片ADMV4801，以及毫米波 UDC的ADMV1017。这组24至 30 GHz 波束成形+ UDC解决方案构成了一个符合 3GPP 5G NR 标准的毫米波**，支持 n261、n257 和 n258 频段。高通道密度，加上支持单较化和双较化部署的能力，较大地增强了针对多种 5G 用例的系统灵活性和可重构性，而同类佳的等效全向辐射功率 (EIRP) 则扩展了无线电覆盖范围和密度。
兼顾5G高性能和小尺寸，微波上变频器和下变频器集成度很重要
而稍早前，ADI在今年2月宣布推出高集成度微波上变频器和下变频器ADMV1013 和 ADMV1014，在24 GHz至44 GHz的较宽频率范围内工作，使得在构建的单一平台上可以支持所有5G毫米波频带（包括28 GHz和39 GHz），从而简化设计并降低成本。
此外，该芯片组能够提供平坦的1 GHz RF瞬时带宽，支持所有宽带服务以及其他**宽带宽收发器应用。每个上变频器和下变频器均高度集成，包括I（同相）和Q（正交相）混频器，片内可编程正交移相器可配置为直接变频至/自基带（工作频率范围：DC至6 GHz）或变频至IF（工作频率范围：800 MHz至6 GHz）。
片内还集成了电压可变衰减器、**PA驱动器（上变频器中）和接收LNA（下变频器中）、集成4倍倍频器的LO缓冲器和可编程跟踪滤波器。大多数可编程功能通过SPI串行接口控制。通过此端口，这些芯片还为每个上变频器和下变频器提供*特功能以纠正各自的正交相位不平衡，因此可以提高通常难以抑制的边带**性能，从32 dBc典型值改善10 dB或以上。这样，可提供无可匹敌的微波无线电性能。这些特性组合提供**的灵活性和易用性，同时将外部元件减至少，支持实现小型蜂窝等小尺寸系统。

移动应用、基础设施与*应用中**技术与RF解决方案的供应商Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，截至2019年6月29日的2020财年*1季度财务业绩。按照GAAP计算的Qorvo 2020财年*1季度收入为7.76亿美元，毛利率为37.9%，稀释每股收益为0.33美元。
此次公开的Qorvo未来的运营规划包括：
打入近地轨道卫星宽带GaN放大器市场并**主导地位，从而为**几乎所有地方提供OneWeb™太空互联网连接。
高频5GHz BAW滤波器使Wi-Fi 6产品组合进一步扩展，并签订基于BAW的iFEM的设计合同，从而实现行业的范围、吞吐量和信号完整性。
签订共存BAW滤波器和LNA的设计合同，为General Motors®、Volkswagen®及其他汽车OEM提供支持。
将电源管理技术延伸至新的垂直市场，并提供电源管理解决方案，为包括Skil®电动工具在内的多种应用提供支持。
成为韩国智能手机制造商的供应商，为2019年快速发展的5G设备提供天线调谐、高频段及**高频段解决方案。
签订中国一家OEM的设计合同，为即将上市的5G智能手机供应低频段、高频段和**高频段解决方案。
为Samsung®供应用于大众市场Galaxy A™系列的天线调谐、高频段PAD和Wi-Fi iFEM，显著提高在中端市场的市场占有率和营业额。
基于频段 1／3／7BAW的六工器开始大量出货，实现面向出口市场的较高阶的载波聚合，并供应多个中国的智能手机OEM。
接到新发布的基于BAW的天线转换开关的订单，并获得可编程5G天线调谐器（可执行孔径和阻抗调谐）的设计合同。

Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有的功率附加效率。与硅或化镓相比，氮化镓具有较高的击穿电压、较高的饱和电子漂移速度和较高的热导率。与化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供较大的功率密度和较宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得佳的电气和热性能。

CMPA601C025F Gan Hemt MMIC放大器提供从6到12GHz的瞬时带宽的25瓦功率。氮化镓HEMT MMIC封装在热增强的10铅陶瓷封装中。这提供了一个高功率6至12千兆赫，率放大器在一个小封装在50欧姆。