常州磁控溅射氮化钽靶材价格 TaN靶材

结果表明:随氮分压的,Ta N薄膜的微结构明显变化,同时Ta N薄膜的方阻也有显著趋势;随着沉积温度的提高,Ta N薄膜的方阻有减小趋势,当温度达到400℃时,制备出了方阻小于100Ω/□的薄膜;随着沉积时间的加长,Ta N薄膜的方阻也出现减小的现象;后制备出工艺稳定性好的方阻50Ω/□的Ta N薄膜

氮化钽为黑色六方结晶。相对密度为13.4，熔点为3090℃，显微硬度为1100kg/mm2，热导率为9.54W/(m·K)，电阻率为128μΩ·cm

氮化钽靶材合成
1、将金属钽粉用氮气或氨气在1100℃左右直接氮化制得；
2、以金属钽和氮气为原料制备氮化钽，反应式如下：2Ta+N2=2TaN。

一定工作压力下，制备的氮化钽薄膜硬度高达４０００ｋｇ／ｍｍ２以上。本文探讨了氮化钽薄膜高硬度的原因，并且讨论了随氮分压的提高薄膜织构变化的原因

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