低价FC1511型号

特价销售FC1511 SOT23-6 SOP8
T1定时器由T1EN控制。当T1EN=0时，T1停止工作；当T1EN=1时，T1开始计数。使能T1之前，先要设定好T1的功能模式，如基本定
时器、T1中断等。T1C溢出（从0FFH到00H）时，T1IF置1以显示溢出状态并由程序清零。在不同的功能模式下，T1C不同的值对应不
同的操作，若改变T1C的值影响到操作，会导致功能出错。T1内置双重缓存器以避免此种状况的发生。在T1C计数的过程中不断的刷新
T1C，保证将新的值存入T1R（重装缓存器）中，当T1溢出后，T1R的值由自动存入T1C。进入下一个周期后，T1进入新的工作状态。
定时器模式下，由ALOAD控制自动重装功能；PWM模式下，使能T1时，可选择打开或关闭T1的自动重装功能。如果使能T1中断功能
（T1IE=1），在T1溢出时系统执行中断服务程序，在中断时必须由程序清T1IF。
可编程控制占空比/周期的PWM可以提供不同的PWM信号。使能T1定时器且PWM0E=1&PWM0OE=1时，由PWM0输出引脚（IOB2）
输出PWM0信号；PWM1E=1&PWM1OE=1时，由PWM1输出引脚（IOB1）输出PWM1信号；PWM2E=1&PWM2OE=1时，由PWM2
输出引脚（IOB0）输出PWM2信号。PWM首先输出高电平，然后输出低电平。T1PS[2:0]、ALOAD和T1R控制PWM的周期，ALOAD和
T1R决定PWM的分辨率，PWM0R、PWM1R、PWM2R和T1R寄存器决定PWM的占空比（脉冲高电平的长度）。开启T1定时器且定时
器溢出后，T1C的初始值为0。当T1C=PWMnR时，PWM输出低电平；T1溢出时（T1C的值从0FFH到00H或T1R），整个PWM周期完
成，并进入下一个周期。T1溢出时，PWM的一个周期完成。在PWM输出的过程由程序更改PWM的占空比，则在下一个周期开始输出新
的占空比的PWM信号。
PWM周期时间= ( 256 - T1RALOAD ) x T1计数周期
PWM 高电平时间= ( PWMnR - T1RALOAD ) x T1计数周期
PWM占空比= ( PWMnR - T1RALOAD ) / ( 256 - T1RALOAD )
图2.8:PWM输出示意图
PWM的分辨率由ALOAD和T1R决定，以实现高速PWM信号。当ALOAD = 0时，PWM的分辨率为1/256；ALOAD = 1时，PWM的分辨
率为1 /（256 - T1R）。若需调制PWM的分辨率，T1R PWM的占空比控制范围必须调制到一个合适的分辨率。PWM输出过程中，T1溢
出时，T1IF有效，T1IE=1时，则使能T1中断。但强烈建议小心同时使用PWM和T1定时器功能，保证两种功能都能正常工作。
PWM输出引脚和GPIO引脚共用，PWMnE=1&PWMnOE=1时，该引脚自动输出PWM信号。如果清PWMnOE位以禁止PWM时，
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状态字寄存器包含运算标志，结果标志。
指令执行以后可能会影响STATUS寄存器的Z、DC 、C标志位，则不能直接对这三个标志位进行写操作，这些标志位的设置由MCU的逻
辑自动完成。同时，TO 和 PD 位也是不能通过指令直接改变写操作。因此，与STATUS作为目标寄存器的指令后，结果可能会与预期
的不同。例如:运行CLRR STATUS将把STATUS 的高三位置零和Z标志位置1 同时该寄存器的内容如下
C :进位标志
ADDAR， ADDIA
= 1，有进位
= 0，无进位
SUBAR， SUBIA
= 1，无借位
= 0，有借位
注释 : 减法是通过将2的补*二个操作数的执行。旋转（RRR，RLR）指令，该位装载高或低位源寄存器位。
DC :进位/借位标志.(低四位向高四位进位/借位标志)
ADDAR， ADDIA
= 1， 底4位有进位
= 0， 底4位无进位
SUBAR， SUBIA
= 1， 底4位无借位
= 0， 底4位有借位
Z : 零标志位
= 1， 算术或逻辑运算结果为“0”时
= 0， 算术或逻辑运算结果不为“0”时
/PD :系统休眠标志位
= 1， 当系统上电时或执行“CLRWDT”指令后
= 0， 当执行“SLEEP”指令后
/TO :溢出标志位
= 1， 当系统上电时或执行“CLRWDT”或SLEEP指令后
= 0，定时器溢出
LVDF:高精度LVD标志位
= 1，VDD**高精度LVD电压检测点
= 0，VDD**高精度LVD电压检测点
GP1 :通用寄存器读/写位
RST :定义系统复位类型位.
= 1， 唤醒SLEEP或Port B脚位变化唤醒SLEEP
= 0， 其他类型唤醒SLEEP.

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