石家庄五氧化二钽靶材厂家

又称“氧化钽”。化学式Ta2O5。含O18.1%。酸性氧化物,结晶形白色粉末或无色难溶性粉末。相对密度8.2,熔点1872℃±10℃。有多种同素异形体,其中β-Ta2O5在1360℃以下稳定存在,斜方晶系,a=6.192×10-8cm、b=44.02×10-8cm,c=3.898×10-8cm;而α-Ta2O5在熔点以下稳定存在,四方晶系,a=3.81×10-8cm、c=35.67×10-8cm、c/a=9.36。不溶于水、醇、矿酸类和碱溶液,溶于氢氟酸和熔融的碱或焦硫酸钾。

当**大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者较小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会大幅度增加器件功耗,并且减弱栅较电压控制沟道的能力。在等效氧化层厚度保持不变的情况下,使用高介电材料替换传统的栅较介质,使用加大介质层物理厚度的方法,可以明显减弱直接隧穿效应,并增加器件的可靠性。所以,找寻高介电的栅介质材料就成了当务之急。在高介电栅介质材料中,由于五氧化二钽既具有较高的介电常数(K-26),又能够兼容与传统的硅工艺,被普遍认为是在新一代的动态随机存储器(DRAM)电容器件材料中相当有潜力的替代品

五氧化二钽的应用相当广泛,涵盖触媒、固态氧化物燃料电池和感测器等.而五氧化二钽(Ta2O5)薄膜具有高介电常数(25~35)、高折射率(波长550 nm处为2.01~2.23)和很好的化学稳定性,可以作为动态随机存储器(DRAM)、金属氧化硅晶体管、减反膜、高温阻抗、气敏传感器以及电容器的关键材料等

在可见和近红外区有高的透过率和反射率 ,已应用于增透膜、激光器、光通讯、太阳能电池等元器件上。五氧化二钽膜层又具有高介电常数 ,也是制造薄膜电容器的重要材料

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