重庆磁控溅射五氧化二钽靶材报价

当**大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者较小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会大幅度增加器件功耗,并且减弱栅较电压控制沟道的能力。在等效氧化层厚度保持不变的情况下,使用高介电材料替换传统的栅较介质,使用加大介质层物理厚度的方法,可以明显减弱直接隧穿效应,并增加器件的可靠性。所以,找寻高介电的栅介质材料就成了当务之急。在高介电栅介质材料中,由于五氧化二钽既具有较高的介电常数(K-26),又能够兼容与传统的硅工艺,被普遍认为是在新一代的动态随机存储器(DRAM)电容器件材料中相当有潜力的替代品

氧化钽化合物有多种价态 :如一氧化钽、三氧化二钽、二氧化钽等 ,作为镀膜材料 ,五氧化二钽是常见的形态。纯净的五氧化二钽熔点 1 872℃ ,密度 8.1 g/cm3～ 8.7g/cm3,溶于熔融的硫酸氢钾和氢氟酸 ,不溶于水或其它酸

Ta2O5（氧化钽）薄膜的光谱透过波段为0.3～10um，是可见光到近红外波段重要的高折射率材料之一。

Ta2O5薄膜具有较高的折射率和热稳定性、低吸收、无定形微结构和耐化学腐蚀等优点，广泛应用于制备多种光学元件的减反膜、高反膜、分光膜和干涉滤光膜

醴陵市利吉升新材料有限公司是专业生产销售高**属材料，合金材料 ， 陶瓷材料等蒸发镀膜材料以及溅射靶材.公司产品广泛应用于半导体、光电、OLED、装饰镀膜、太阳能光伏、磁记录等镀膜领域，公司拥有专业的技术研发人员，拥有经验丰富的镀膜材料生产加工技术人员，长期服务于国家科研项目及**镀膜产业。和多所高校研究所建立长期的合作关系，以较高的性价比，成功发替代了国外进口产品，颇受用户**。