大庆二手整流二极管

正向性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用
，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当
正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压而迅速上
升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的
正向电压。当二极管两端的正向电压**过一定数值  ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长
，二极管正向导通。  叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的
正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很
小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空
穴对，致使电流急剧，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不
容易产生齐纳击穿。

击穿
外加反向电压**过某一数值时，反向电流会突然，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临
界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿
而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则
二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯
丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。
二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路
中起着重要的作用，它是诞生早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二
极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光
二极管的压降为2.0--2.2V，发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为
3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA
二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。

二极管的正负二个端子。正端A称为阳极，负端K ；称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移
动。一些初学者容易产生这样一种错误认识：“半导体的一‘半’是一半的‘半’；而二极管
也是只有一‘半’电流流动（这是错误的），所有二极管就是半导体 ；”。其实二极管与半
导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能
流动电流。

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