长春单晶硅靶材报价

硅可以提高植物茎秆的硬度，增加害虫取食和消化的难度。尽管硅元素在植物生长发育中不是必需元素，但它也是植物抵御逆境、调节植物与其他生物之间相互关系所必需的化学元素。
硅在提高植物对非生物和生物逆境抗性中的作用很大，如硅可以提高植物对干旱、盐胁迫、紫外辐射以及病虫害等的抗性。硅可以提高水稻对稻纵卷叶螟的抗性，施用硅后水稻对害虫取食的防御反应迅速提高，硅对植物防御起到作用。
水稻在受到虫害时，硅可以水稻迅速激活与抗逆性相关的茉莉酸途径，茉莉酸信号反过来促进硅的吸收，硅与茉莉酸信号途径相互作用影响着水稻对害虫的抗性。

1787年，拉瓦锡发现硅存在于岩石中。 
1800年，戴维将其错认为一种化合物。 
1811年盖-吕萨克和泰纳尔（Thenard, Louis Jacques）加热钾和四氟化硅得到不纯的无定形硅，根据拉丁文silex（燧石）命名为silicon。
1811年，Gay-Lussac和Thenard以矽（硅）的四氟化物与碱土金属反应，发现在反应当中生成赤褐色的化合物（可能是含不纯物无定形的矽）。 
1823年，硅作为一种元素被永斯·雅各布·贝采利乌斯发现，并于一年后提炼出了无定形硅，其方法与盖-吕萨克使用的方法大致相同。他随后还用反复清洗的方法将单质硅提纯。
1823年，Berzelius以氧化矽（硅）的粉末，加以铁，碳的混和物在高温下加热，得到矽（硅）化铁。但是为了抽取纯的矽（硅），他使用矽（硅）-氟-钙的化合物，干烧之后得到的固体，加水分解得到纯的矽（硅）。
发现硅的荣誉归属于瑞典化学家Jöns Jacob Berzelius，在斯德哥尔摩（瑞典首都）于1824年，他通过加热氟硅酸钾和钾获取了硅。这个产物被硅酸钾污染，但他把它放在水中搅拌，会与之反应，因此得到了相对纯净的硅粉末。
1824年永斯·雅各布·贝采利乌斯用同样的方法，但经过反复洗涤除去其中的氟硅酸，得到纯无定形硅。
结晶性的矽则到了1854年才被提炼出来。矽（硅）的拉丁文是silicium，意为"坚硬之石"。
1854年H·S·C·德维尔次制得晶态硅。

原子核外电子排布：1s²2s²2p⁶ 3s²3p²；
晶胞类型：立方金刚石型； [9] 
晶胞参数：20℃下测得其晶胞参数a=0.543087nm；
颜色和外表： 深灰色、带蓝色调；
采用纳米压入法测得单晶硅（100）的E为140～150GPa；
电导率：硅的电导率与其温度有很大关系，随着温度升高，电导率增大，在1480℃左右达到，而温度**过1600℃后又随温度的升高而减小。
电负性
1.90（鲍林标度） [8] 
热导率
148 W/（m·K） [8] 
电离能
786.5 kJ/mol [8] 
*二电离能
1577.1 kJ/mol [8] 
*三电离能
3231.6 kJ/mol [8] 
*四电离能
4355.5 kJ/mol [8] 
*五电离能
16091 kJ/mol [8] 
*六电离能
19805 kJ/mol [8] 
*七电离能
23780 kJ/mol [8] 
*八电离能
29287 kJ/mol [8] 
*九电离能
33878 kJ/mol [8] 
*十电离能
38726 kJ/mol [8] 
同位素：
符号
Z（p）
N（n）
质量（u）
半衰期
原子核自旋
相对丰度
相对丰度的变化量
22Si
14
8
22.03453（22）#
29（2）ms
0+
23Si
14
9
23.02552（21）#
42.3（4）ms
3/2+#
24Si
14
10
24.011546（21）
140（8）ms
0+
25Si
14
11
25.004106（11）
220（3）ms
5/2+
26Si
14
12
25.992330（3）
2.234（13）s
0+
27Si
14
13
26.98670491（16）
4.16（2）s
5/2+
28Si
14
14
27.9769265325（19）
稳定
0+
0.92223（19）
0.92205-0.92241
29Si
14
15
28.976494700（22）
稳定
1/2+
0.04685（8）
0.04678-0.04692
30Si
14
16
29.97377017（3）
稳定
0+
0.03092（11）
0.03082-0.03102
31Si
14
17
30.97536323（4）
157.3（3）min
3/2+
32Si
14
18
31.97414808（5）
170（13）a
0+
33Si
14
19
32.978000（17）
6.18（18）s
（3/2+）
34Si
14
20
33.978576（15）
2.77（20） s
0+
35Si
14
21
34.98458（4）
780（120） ms
7/2-#
36Si
14
22
35.98660（13）
0.45（6）s
0+
37Si
14
23
36.99294（18）
90（60）ms
（7/2-）#
38Si
14
24
37.99563（15）
90# ms [>1 &micro；s]
0+
39Si
14
25
39.00207（36）
47.5（20） ms
7/2-#
40Si
14
26
40.00587（60）
33.0（10） ms
0+
41Si
14
27
41.01456（198）
20.0（25） ms
7/2-#
42Si
14
28
42.01979（54）#
13（4） ms
0+
43Si
14
29
43.02866（75）#
15# ms [>260 ns]
3/2-#
44Si
14
30
44.03526（86）#
10# ms
0+
备注：1.画上#号的数据代表没有经过实验的证明，只是理论推测而已，而用括号括起来的代表数据不确定性。
2.有三种**的稳定同位素Si（92.2%）、Si（4.7%）和Si（3.1%），还有质量数为25、26、27、31和32的人工放射性同位素。 [2] 
3.硅（原子质量单位： 28.0855，共有23种同位素，其中有3种同位素是稳定的。

有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。晶体硅为灰黑色，无定形硅为黑色，
密度2.32-2.34克/立方厘米，熔点1410℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体。不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液。硬而有金属光泽。
系列
类金属
族
ⅣA族
周期
3
元素分区
p区
密度
2328.3 kg/m³
常见化合价
+4
硬度
6.5
地壳含量
25.7%
弹性模量
190GPa（有些文献中为这个值）
密度
2.33g/cm³（18℃）
熔点
1687K（1414℃） [8] 
沸点
3173K（2900℃） [8] 
摩尔体积
12.06×10⁻⁶m³/mol [8] 
汽化热
384.22kJ/mol [8] 
熔化热
50.55 kJ/mol [8] 
蒸气压
4.77Pa（1683K） [8] 
间接带隙
1.1eV （室温）
电导率
2.52×10⁻⁴ /（米欧姆） [8] 
电负性
1.90（鲍林标度）
比热
700 J/（kg·K） [8]

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