昆明磁控溅射氮化钽靶材电话

利用磁控反应溅射技术制备氮化钽薄膜，对磁控反应溅射制备氮化钽薄膜的工艺参数（包括氮分压比、加热温度、溅射压力、溅射电流）用正交设计进行优化

在石英玻璃上通过改变基底温度生长了系列面心立方结构的δ-TaNx多晶薄膜,X射线衍射及扫描电镜形貌结果显示,薄膜的平均晶粒尺寸随基底温度的升高逐渐增大。电输运测量结果表明,δ-TaNx薄膜在~5 K以下表现出类似**导体-绝缘体颗粒膜的电输运性质;随着温度的升高,薄膜在10-30 K表现出类似金属-绝缘体颗粒膜的性质;在70 K以上,热涨落诱导的遂穿(FIT)导电机制主导着电阻率的温度行为。因此,多晶δ-TaNx薄膜的类颗粒膜属性使其具有较高的电阻率和负的电阻温度系数

一定工作压力下，制备的氮化钽薄膜硬度高达４０００ｋｇ／ｍｍ２以上。本文探讨了氮化钽薄膜高硬度的原因，并且讨论了随氮分压的提高薄膜织构变化的原因

通过射频磁控溅射的方法,采用TaN靶,在石英玻璃基底上成功制备了系列面心立方结构的多晶δ-TaNx薄膜,对薄膜的晶体结构、微观形貌、电学性质进行了系统研究,分析了溅射条件对薄膜结构和电输运性质的影响,并对δ-TaNx薄膜在不同温区的导电机制进行了探讨

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