ET51512YBLDO SGM2036-1.3Y**G/TR

作条件
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Vin >= Vdrop + Vout。
且一般需要两个外接电容：Cin、Cout，一般采用钽电容或MLCC。
注意：LDO是稳压器。
总的来说，升压是一定要选DCDC的，降压，是选择DCDC还是LDO，要在成本，效率，噪声和性能上比较。

The SGM2200 series is a set of low power high voltage regulators implemented in CMOS technology. These devices allow input voltages as high as 26.4V. The SGM2200 series is available in several fixed and adjustable output voltages. CMOS technology ensures low dropout voltage and low quiescent current.
Although designed primarily as fixed voltage regulators, these devices can be used with external components to obtain variable voltages and currents.
The SGM2200 series is available in Green SOT-89-3, SOT-23, TSOT-23-5 and SC70-5 packages. It operates over an ambient temperature range of -40℃ to +85℃.

LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA（TI的TPS78001达到Iq=0.5uA），电压降只有100mV(TI量产了号称0.1mV的LDO)。 LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流；另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力， 输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低

LDO是一种微功耗的低压差线性稳压器，它通常具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比PSRR(Power Supply Rejection Ratio)。 
　　LDO是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器的不同点在于，LDO是一个自耗很低的微型片上系统（SoC）。它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的MOSFET，肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。PG是新一代LDO，具各输出状态自检、延迟安全供电功能，也可称之为Power Good，即“电源好或电源稳定”。

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