12V1.2A充电器芯片PN8275

PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。PN8366产品特点：内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准全电压输入范围±5%的CC/CV精度原边反馈可省光耦和TL431恒压、恒流、输出线补偿外部可调无需额外补偿电容无音频噪声智能保护功能     过温保护 (OTP)     VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)     逐周期过流保护 (OCP)     CS开/短路保护 (CS O/SP）     开环保护 (OLP)PN8306包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，骊微电子推出新一代精简外围12V3A六级能效充电器/适配器方案：PN8275+PN8308H外围外围BOM降低20%，效率高达87%，满足六级能效的传统12V3A六级能效同步整流方案。六级能效同步整流方案概述：PCBA尺寸：39.0mm*86.0mm输入电压：90~265Vac全电压输出功率：36W(Typical)平均效率：≥88.3%(满足CoC V5 Tier2六级能效要求)待机功耗：<50mW(Vin=265Vac)输入欠压保护、输入过压保护、输出过压保护，输出过流保护等PN8275是一款集成了高压启动的电流模式的开关电源芯片，结合多模式混合调制技术和X电容放电功能实现六级能效，并符合IEC 62368-1:2014标准要求(CB证书编号：DK-76617-UL)；PN8275提供了全面保护功能包括输入市电欠压保护、市电过压保护、输出过压保护、OTP、OCP、次级整流管短路保护等。PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10mΩ智能功率MOSFET，用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H外围精简，采用独特电流跟踪技术，可在50ns内快速关断，改善系统EMI特性，彻底避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。PN8275+PN8308H电路描述：电路图中R20、R22、R23为反馈分压电阻；D5、R17、R18、R15、C7 组成 RCD 箝位电路，用于吸收功率 MOSFET 漏源端尖锋电压，可以视情况予以减轻；PN8275 本体温度太高时，其内置的 OTP 保护功能会及时动作，关闭 IC，以保护整个系统，温度下降之后在自动重启；电路具有输出短路保护，输出过流保护，开环保护， VDD 过压保护等功能，以提高整个系统的可靠性；当连接到反馈脚 FB 的分压电阻开路或短路时，系统都会进入保护状态。PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度，实现电源小型化，并降低系统成本。以12V3A电源为例，TO220肖特基+散热片（25mm*17mm）可被SOP8同步整流（10mm*10mm）取代，功率密度提高4倍以上，因PN8308外围精简、EMC性能卓越、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片，被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。电源管理半导体本中的主导部分是电源管理IC，大致可归纳为8大类：1、AC/DC调制IC：内含低电压控制电路及高压开关晶体管。2、DC/DC调制IC：包括升压/降压调节器，以及电荷泵。3、功率因数控制PFC预调制IC：提供具有功率因数校正功能的电源输入电路。4、脉冲调制或脉幅调制PWM/ PFM控制IC：为脉冲频率调制和/或脉冲宽度调制控制器，用于驱动外部开关。5、线性调制IC：如线性低压降稳压器LDO等，包括正向和负向调节器，以及低压降LDO调制管。6、电池充电和管理IC：包括电池充电、保护及电量显示IC，以及可进行电池数据通讯智能电池 IC。7、热插板控制IC：免除从工作系统中插入或拔除另一接口的影响。8、MOSFET或IGBT的开关功能ic。

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