定位通信、工业控制和服务器市场,多支持336个 I/O,满足客户板级IO扩展应用需求。EF3器件采用先进的55nm低功耗工艺,优化功耗与性能,并可以通过低成本实现较高的功能。器件旨在用于大批量、成本敏感的应用,使系统设计师在降低成本的同时又能够满足不断增长的带宽要求。灵活的逻辑结构· 19600个 LUTs,用户IO数量从71到193个低功耗器件· 先进的55nm低功耗工艺· 静态功耗低至5mA支持分布式和嵌入式存储器· 支持156 Kbits分布存储器· 支持1 Mbits 嵌入块存储器· 嵌入块存储器容量9 Kbits,可配置为真双口,8Kx1到512x18模式· FIFO控制逻辑· 嵌入块存储器容量32 Kbits,可配置为真双口,可设置为2K*16或4K*8可配置逻辑模块(PLBs)· 优化的的LUT4/LUT5组合设计· 双端口分布式存储器· 支持算数逻辑运算· 快速进位链逻辑源同步输入/输出接口· 输入//输出单元包含DDR寄存器· Generic DDRx1· Generic DDRx2高性能,灵活的输入/输出缓冲器· 可配置支持以下单端标准· LVTTL、LVCMOS (3.3/2.5/1.8V/1.5/1.2V)· PCI高性能,灵活的输入/输出缓冲器· 可配置支持以下单端标准· LVTTL,LVCMOS(3.3/2.5/1.8V/1.5/1.2V)· PCI· 可配置支持以下差分标准· LVD,Bus-LVDS,MLVDS,RSDS,LVPECL· BANK 0 和 2 支持 True LVDS 输出,所有 BANK 均支持单端和差分输入· 支持热插拔· 片内100欧姆差分电阻.可配置支持上拉下拉模式.兼容5V输入支持分布式和嵌入式存储器• 支持35 Kbits分布存储器• 支持700Kbits 嵌入块存储器• 容量块存储器9K和32K,可配置为真双口,多种组合模式,FIFO控制逻辑• 额外128Kbits、256Kbits存储器支持源同步输入/输出接口• 输入/输出单元包含DDR寄存器支持DDRx1、DDRx2模式
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