12V0.5A充电器芯片PN8275

电源管理芯片的应用范围十分广泛，发展电源管理芯片对于提高整机性能具有重要意义，对电源管理芯片的选择与系统的需求直接相关，所有电子设备都有电源，但是不同的系统对电源的要求不同，电子设备所具备的功能越多、性能越高，其结构、技术、系统就越复杂，为了发挥电子系统的佳性能，需要选择适合的电源管理方式。开关电源芯片PN8368是一款应用于5-12W以内AC/DC超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器，内部集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，恒压控制模式采用多模式控制方式，合理的兼容了芯片的高性能、高精度和高效率。在全电压交流输入范围内，采用独有的自适应补偿专利技术，输出过功率保护电具有很高的一致性，同时在通过内置的线损补偿电路保证了较高的输出电压精度。PN8036M非隔离ac/dc电源芯片主要是用于外围精简的开关电源，其内部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET，内置MOSFET具有650V高雪崩能力，实现系统快速启动、超低待机功能，并具有过流、欠压、过温保护，PN8036M采用的降频调制技术有效改善了EMI特性，下面跟随骊微电子芯朋微代理详细了解非隔离ac/dc电源芯片PN8036M。5v适配器ic低功耗充电器芯片方案亮点 ：        1、外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M独特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。2、高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显著提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。3、低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。PN8368产品特性■内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET■内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）■采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准■全电压输入范围±5%的CC/CV精度■原边反馈可省光耦和TL431■恒压、恒流、输出线补偿外部可调■无需额外补偿电容■无音频噪声■智能保护功能—过温保护 (OTP)—VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)—逐周期过流保护 (OCP)—CS开/短路保护 (CS O/SP）—开环保护 (OLP)在智能电子产品中，手机给予我们很多的方便，除了通讯这个基本功能之外，购物，阅读，听音乐等等娱乐休闲功能也变的越来越重要，甚至可以说手机是现代人必备工具，由于手机软件使用频繁，所以人们对手机的电量需求也越来越大，要求也是越来越高，骊微电子从充电器设计到充电管理芯片产品覆盖5-100W以内各类电源产品，同时提供电源产品应用与电源设计服务，为手机充电器厂商提供相关的电源IC方案，对于品质、性能等各方面也提出了更高要求。pn8359 5v2.1a电源方案pn8359电源内置650V功率MOSFET和原边电感量补偿电路，可省略光耦和TL431，可以提高电源功率的密度，节省空间以及成本，具有优异全面的保护功能，骊微电子用于高性能、外围元器件精简的开关电源适配器、电池充电器、机顶盒电源以及LED照明。

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