长沙铁锰酸铋靶材规格 铁锰酸铋

BST 薄膜层能阻止BNF 中的自由载流子在电极与BNF 薄膜之间移动.而**层BST 薄膜在工艺过程中抑制Bi 元素的挥发起了决定性作用,进一步降低了BST/BNF/BST 中BNF 薄膜层的自由电荷,所以BST/BNF/BST 比BNF/BST 有较低的漏电流水平.在100 kHz 条件下,BST/BNF/BST 薄膜具有**低损耗至0.0012.

锰氧化物/铁酸铋(La0.7Sr0.3MnO3/BiFeO3(LSMO/BFO),LaMnO3/BiFeO3(LMO/BFO))异质结中的交换偏置效应的起源。发现了一种新的物理现象,即LMO/BFO界面可以诱发自旋团簇玻璃态的转变,并深入探讨了发生这种现象的原因。还发现应变效应在LMO薄膜中自旋团簇玻璃态形成的过程中发挥着重要的作用。

用溶胶-凝胶法在Si(100)基片上制备缓冲层LaNiO3 或SrTiO3,再在LaNiO3/Si(100)基片上制备Bi2FeMnO6 薄膜,或在SrTiO3/LaNiO3/Si(100)基片上制备Bi2FeMnO6 薄膜可以降低双钙钛矿多铁性Bi2FeMnO6 基薄膜的漏电流至10-7A/cm2 数量级.

多铁材料的典型代表之一铁酸铋(BiFeO_3,BFO)具有室温铁电、反铁磁性和铁电光伏效应等。但是BFO是一种宽带隙(2.7 eV)半导体,对可见光吸收较低,且具有较大的漏电流,这使得其光生电流很小和容易退较化

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