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雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结*性损坏。

SW16-24CXC380 SW06-15CXC300 SW04-15CXC470 SW20-32CXC445
SW16-25CXC565 SW50-56CXC350 SW30-45CXC515 SW30-36CXC595
SW24-30CXC635 SW08-22CXC805 SW02-12CXC935 SW50-60CXC620
SW40-50CXC815 SW36-45CXC920 SW16-25CXC 11C SW30-40CXC1170
SW28-35CXC12C SW08-20CXC 14C SW02-06CXC 19C SW36-45CXC1100
SW30-40CXC 13C SW16-28CXC 16C SW30-34CXC 17C SW02-14CXC 27C
SW40-45CXC 15C SW34-45CXC1870 SW24-35CXC 18C SW20-30CXC 21C
SW12-22CXC 26C

小功率二极管的N较（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管符号来表示P较（正极）或N较（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。半导体重要的两种元素是硅（读“gui”）和锗（读“zhe”）。我们常听说的美国硅谷，就是因为起先那里有好多家半导体厂商。
二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。

反向性
外加反向电压不**过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加

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