二极管厂家

反向性
外加反向电压不**过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加
三社二极管模块：
DD25F120
DD25F160
DD40F120
DD40F160
DD55F120
DD55F160
DD70F120
DD70F160
DD90F120
DD90F160
DD110F120
DD110F160
DD130F120
DD130F160
DD160F120
DD100HB120
DD100HB160
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DD200HB160
DD250HB120
DD250HB160
DD30GB40
DD30GB80
DD60KB160
DD60KB120
DD60HB160
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DD60KB80
DD60GB80
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DD100KB120
DD100KB80
DD100KB40
DD100GB80
DD100GB40
KD30GB40
KD30GB80
KD60GB40
KD60GB80
KD100GB40
KD100GB80
KD30HB120
KD30HB160
KD60HB120
KD60HB160
KD100HB120
KD100HB160
DWR50A30
DWR70A30
MDFR150A-L
MDFR250A-L
MDFR150A-M
MDFR250A-M
MDF250A-L
MDF150A-L
MDF150A-M
DD30HB160
DD30HB120
DD300KB80
DD300KB160
DD300KB40
DD250GB40
DD300KB120
DD240KB120
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DD200GB40
DD200KB120
DD200GB80
DD160KB40
DD160KB120
DD160KB160
DD160KB80
KF100HB120
KF100HB160
MDF150A40
MDF150A50
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MDF250A30
MDF200A50
MDF250A40
MDF250A50
MDR250A40L
MDR100A30
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MDR250A40
MDR250A50
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DWR70A30
DWR50A30
DWR40A30
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DWF40A40
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DWF40A30
SDWF100A40
DWF100A30
肖特基二极管
DSR200AA60
DSR200BA60
DSR200BA50
DSR300BA60
DSR400AA60
DG20AA120
DG20AA80
DG20AA40
DG20AA160
快速恢复二极管模块
Fast Recovery Diode Modules
FRG150BA50
FRG25BA60
FRG25CA120
FDF60BA60
FDF25CA120
FDF25CA100
FRD100BA60
FRD100CA120
FDS100CA120
FDS100CA100
FDS100BA60
FRS200AA40
FRS200AA60
FRS200CA100
FRS200CA120
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FRS150BA50
FRS400BA50
FRS400BA60
FRS200BA60
FRS300BA50
FRS400EA180
FRS400EA200
DKR200AB60
DKR300AB60
DKR400AB60
BKR400AC10
BKR400AB10
DKA300AA60
DBA100UA60
DBA100UA40
DBA200UA40
DBA200UA60

正向性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压**过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
供应全新原装IXYS二极管模块
MDA72-08N1B
MDA72-12N1B
MDA72-14N1B
MDA72-16N1B
MDD26-08N1B
MDD26-12N1B
MDD26-14N1B
MDD26-16N1B
MDD26-18N1B
MDD44-08N1B
MDD44-12N1B
MDD44-14N1B
MDD44-16N1B
MDD44-18N1B
MDD56-08N1B
MDD56-12N1B
MDD56-14N1B
MDD56-16N1B
MDD56-18N1B
MDD72-08N1B
MDD72-12N1B
MDD72-14N1B
MDD72-16N1B
MDD72-18N1B
MDD95-08N1B
MDD95-12N1B
MDD95-14N1B
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MDD95-18N1B
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MDD142-12N1
MDD142-14N1
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MDD142-18N1
MDD172-08N1
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MDD255-20N1
MDD255-22N1
MDD310-08N1
MDD310-12N1
MDD310-14N1
MDD310-16N1
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MDD310-20N1
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MDD312-16N1
MDD312-18N1
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MDD312-22N1
MDD600-12N1
MDD600-16N1
MDD600-18N1
MDD600-22N1
MDD950-12N1W
MDD950-16N1W
MDD950-18N1W
MDD950-22N1W
MDO500-12N1
MDO500-14N1
MDO500-16N1
MDO500-18N1

反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
POWEREX二极管
CD410830
CD410860
CD410899B
CD410899C
CD411099B
CD411099C
CD411230
CD411260
CD411299B
CD411299C
CD411499B
CD411499C
CD411630
CD411660
CD411699B
CD411699C
CD411899C
CD412099C
CD412299C
CD412499C
CD412599C
CD420840B
CD420860B
CD420890B
CD420890C
CD421090B
CD421090C
CD421240B
CD421260B
CD421290B
CD421290C
CD421440B
CD421460B
CD421490B
CD421490C
CD421640B
CD421660B
CD421690B
CD421690C
CD421840B
CD421860B
CD421890B
CD421890C
CD430840B
CD430860B
CD430890B
CD430890C
CD431090B
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CD431260B
CD431290B
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CD431440B
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CD431490B
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CD431690C
CD431840B
CD431860B
CD431890C
CD470890B
CD471290B
CD471490B
CD471690B
CD471890B
CD510825
CD511225
CD511625
CD610816B
CD610816C
CD611016B
CD611016C
CD611216B
CD611216C
CD611416B
CD611416C
CD611616B
CD611616C
CD611816B
CD611816C
CD612016B
CD612016C
CD612216B
CD612216C
CD612416C
CD612516C
CD612616C
CD612816C
CD613016C
CD613216C
CD613416C
CD613616C
CD620815B
CD620815C
CD621015B
CD621015C
CD621215B
CD621215C
CD621415B
CD621415C
CD621615B
CD621615C
CD621815B
CD621815C
CD622015C
CD622215C
CD622415C
CD622515C
CD630815B
CD630815C
CD631015B
CD631015C
CD631215B
CD631215C
CD631415B
CD631415C
CD631615B
CD631615C
CD631815B
CD631815C
CD632015C
CD632215C
CD632415C
CD632515C
CM531613
CM531620
CS410899B
CS411299B
CS411499B
CS411699B
CS411899B
CS610816B
CS610816C
CS611016C
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CS611416C
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CS612016C
CS612216C
CS612416C
CS612516C
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CS613216C
CS613416C
CSD3080H
CSD3120H
CSD3160H
CT220802
CT230802
LD410860
LD411260
LD411460
LD411660
LD411860
LD412060
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LD420850
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LD421843
LD422043
LD422243
LD430850
LD431250
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LD431650
LD431843
LD431850
LD432043
LD432243
LD470850
LD471250
LD471450
LD471650

发光分类
1.按发光管发光颜色分
按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色（又细分黄绿、标准绿和纯绿）、蓝光等。另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管适合做指示灯用。
2.按发光管出光面特征分
按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。
圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外通常把φ3mm的发光二极管记作T-1；把 ；φ5mm的记作T-1（3/4）；把φ4.4mm的记作T-1（1/4）。由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分有三类：
⑴高指向性。一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5°~20°或较小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或与光检出器联用以组成自动检测系统。
⑵标准型。通常作指示灯用，其半值角为20°~45°。
⑶散射型。这是视角较大的指示灯，半值角为45°~90°或较大，散射剂的量较大。
本公司代理销售的进口品牌功率模块广泛应用于电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。
产品技术含量高，不是国内的产品所能替代的。主要应用领域：高压直流输电 牵引与传动 静止无功补偿 感应加热 软启动 大电流电源 励磁
面向全国，苏州优质模块供应商，代理商。
全新原装，特约代理，大量现货库存 SIEMENS
ABB 、POSEICO、 WESTCODE 、IXYS 、SEMIKRON 、CATELEC 、SanRex、MITSUBISHI、EUPEC 、infineon 、POWERSEM 、DAWIN、TYCO
可控硅 IGBT IPM PIM系列模块优势代理

上海秦邦电子科技有限公司成立于2000年，自创办以来，以市场为导向，积累了丰富的营销经验。并长年备有现货库存，业务遍布全国各地！产品应用范围遍及信息通讯、仪器仪表、航天**、船舶消防、科研实验等各大领域!我们秉承:诚信为本!互惠互利! 质量**!信誉**!的企业理念，将一如既往的为您服务，您的满意是我们永远的追求!相信以我们的诚信优质优价完善*的服务会让您满意和信赖的! 是一家专业性的功率模块半导体供应商，销售世界**电子元器件，长期备有现货库存，公司的主要经营对象有变频器及配套设备，电力电子器件，功率模块及电源模块。多年的诚信销售使得产品被广泛应用于冶金、矿山、风电、电镀、电解、交通、电焊机、电力、医疗器械等行业的装置中。现企业在大陆已发展成为集产品研发、生产制造、商贸、进出口、投资及网络销售于一体的综合型企业。公司优质的产品质量，遍布国内的销售网络，**周到的售后服务博得国内外用户的一致**。优势代理产品为大功率平板式晶闸管、可控硅、二极管、IGBT、整流桥、驱动板、快恢复二极管品牌如EUPEC、西门康、西码、三菱、ABB、三社、IR、明纬开关电源等国外功率模块。在国内严格按照**标准生产：ZP型普通整流管、ZK型快速整流管、KP型普通晶闸管、 KS型双向晶闸管、KK型快速晶闸管、KG型高频晶闸管、桥式整流器、电力模块、肖特基模块、 SF**快恢复二极管、电焊机**模块、固态继电器、固态调压器、型材散热器等电力半导体器件。期待与贵公司的合作！