西安铁锰酸铋靶材费用

BST 薄膜层能阻止BNF 中的自由载流子在电极与BNF 薄膜之间移动.而**层BST 薄膜在工艺过程中抑制Bi 元素的挥发起了决定性作用,进一步降低了BST/BNF/BST 中BNF 薄膜层的自由电荷,所以BST/BNF/BST 比BNF/BST 有较低的漏电流水平.在100 kHz 条件下,BST/BNF/BST 薄膜具有**低损耗至0.0012.

锰氧化物异质结在自旋电子学领域具有广阔的应用前景,例如,可应用在磁传感器和磁存储等器件中

用磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备掺钕铁 酸铋多铁性薄膜(Bi0.875Nd0.125)FeO3 (BNF) 和铁电薄膜(Ba0.65Sr0.35)TiO3 (BST),形成单层BNF/Pt/Ti/SiO2/Si(100) 薄膜、双层BNF/BST/Pt/Ti/SiO2/Si(100)薄膜结构,或形成三明治结构BST/BNF/BST/Pt/Ti/SiO2 /Si(100)薄膜

结果显示在氮气或真空中退火的BNF 薄膜具有优异的电性能,缓冲层BST 增益BNF 薄膜的多铁性,BST缓冲层能很好的降低BNF 薄膜的漏电流,BNF/BST 异质结薄膜的漏电流密度为7×10-8A/cm2比通过掺杂改性的铁酸铋的漏电流密度低近4 个数量级,这是因为一方面BST 能阻止BNF 中的自由电荷在BNF 薄膜与下电极之间的自由移动,另一方面,BST 促进了BNF 薄膜的结晶,使BNF 中中的自由载流子数量降低.BST/BNF/BST 三明治结构的多层薄膜的漏电流密度为10-8A/cm2 比BNF/BST 还低近一个数量级

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