PN8355SEC-R1 充电器ic

PN8161典型应用于18W PD充电器，除精简外，芯片通过DMG脚开关波形间接采样市电和输出电压，实现市电OVP和输出电压OVP，避免充电器内部器件或手机PMU过压损坏。芯片采用3D叠层封装技术，控制器可精准监控内部智能功率MOS温度，实现低成本、精准快OTP，有效防止功率器件过热引起的安全问题。
PN8161 18W PD充电器、PN8275 30W/45W/60W PD充电器有效解决有电网波动带来的安全挑战、功率器件发热的安全挑战以及输出过压对手机PMU的安全挑战，广泛应用于pd快充的技术中，更D快充产品的详细手册或技术资料，请向骊微电子申请。>>

PN8680M是一款高性能的原边反馈控制器，内置集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，可省略系统的光耦和TL431，PN8680M代换OB2500POP具有高效率低功耗性能，有效解决了能源的浪费，提高了系统性能的高转换效率。
PN8680M代换OB2500POP 产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC）
■ 采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准
■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
■ 原边反馈可省光耦和TL431
■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
■ 无需额外补偿电容
■ 无音频噪声
■ 智能保护功能
? 过温保护 (OTP)
? VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
? 逐周期过流保护 (OCP)
? CS开/短路保护 (CS O/SP）
? 开环保护 (OLP)

PN8680M代换OB2500POP电源芯片以体积小、重量轻、效率高等特点被广泛应用开关电源适配器、电池充电器、机顶盒电源等电子设备，如果需要PN8680M代换OB2500POP高效率低功耗电源芯片PN8680M产品的详细手册或其他资料，请向骊微电子申请。>>

18W USB PD充电器方案原边芯片PN8161采用SOP8封装，内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，于高性能、元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现，集成市电Brown in/out、AC OVP等保护，可节省启动电阻、CS侦测网络、驱动及分离MOSFET等近颗10元器件；
18W USB PD充电器整体方案方案支持90~265V市电输入，输出电压范围3.3-12V，电流分别是5V/3A、9V/2A、12V/1.5A，输出总功率为18W，同时，该方案效率满足CoC V5 Tier 2，拥有的EMC性能；SR与协议芯片分开，协议芯片可根据客户的需求任意搭配，易实现简通信模块，整体方案简洁、灵活。

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