从事电力电子产品设计、制造、销售为一体的高科技企业,专业生产营销各种规格的晶闸管、整流管、可控硅模块、快恢复二极管模块、整流桥模块、固态继电器等产品。其技术力量雄厚,检测设备**,管理体系**。产品在国内市场上享有美誉,而且**俄罗斯、韩国、东南亚、中东、东欧、南美等一些国家和地区。
本公司经营的可控硅、晶闸管模块、整流桥、二极管产品具有外形美观、性能稳定、体积小重量轻、功率损耗低、安装方便、使用安全可靠等优点。广泛地应用于电力、石油、化工、机械、纺织、治金、矿山等领域的电气设备的过载及短路保护。
公司一贯坚持“质量,用户至上,优质服务,信守合同”的宗旨,凭借着高质量的产品,良好的信誉,优质的服务,产品**全国近三十多个省、市、自治区。竭诚与国内外商家双赢合作,共同发展,共创辉煌!
优势代理,无任何中间环节德国赛米控电力电子模块;
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结*性损坏。
标准二极管模块
特点:
*JEDEC TO-240 AA **标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证,E 148688
应用:
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
标准二极管模块
PSKD26/08
PSKD26/12
PSKD26/14
PSKD26/16
PSKD26/18
PSKD44/08
PSKD44/12
PSKD44/14
PSKD44/16
PSKD44/18
PSKD56/08
PSKD56/12
PSKD56/14
PSKD56/16
PSKD56/18
PSKD72/08
PSKD72/12
PSKD72/14
PSKD72/16
PSKD72/18
PSKD95/08
PSKD95/12
PSKD95/14
PSKD95/16
PSKD95/18
PSKD142/08
PSKD142/12
PSKD142/14
PSKD142/16
PSKD142/18
PSKD172/08
PSKD172/12
PSKD172/14
PSKD172/16
PSKD172/18
PSKD220/08
PSKD220/12
PSKD220/14
PSKD220/16
PSKD250/08
PSKD250/12
PSKD250/14
PSKD250/16
PSKD250/18
PSKD255/14
PSKD255/16
PSKD255/18
PSKD310/08
PSKD310/12
PSKD310/14
PSKD310/16
PSKD310/18
PSKD312/12
PSKD312/14
PSKD312/16
PSKD312/18
PSKD312/20
PSKD312/22
PSTKD82/06*
PSTKD82/08*
PSTKD82/10*
PSTKD82/12*
PSTKD82/14*
PSTKD82/16*
PSTKD82/18*
PSND75E/02
PSND75E/04
PSND75E/06
PSND75E/08
PSND75E/10
PSND75E/12
PSND100E/02
PSND100E/04
PSND100E/06
PSND100E/08
PSND100E/10
PSND100E/12
PSND150E/02
PSND150E/04
PSND150E/06
PSND150E/08
PSND150E/10
PSND150E/12
PSND200E/02
PSND200E/04
PSND200E/06
PSND200E/08
PSND200E/10
PSND200E/12
PSMD75E/02
PSMD75E/04
PSMD75E/06
PSMD75E/08
PSMD75E/10
PSMD75E/12
PSMD100E/02
PSMD100E/04
PSMD100E/06
PSMD100E/08
PSMD100E/10
PSMD100E/12
PSMD150E/02
PSMD150E/04
PSMD150E/06
PSMD150E/08
PSMD150E/10
PSMD150E/12
PSMD200E/02
PSMD200E/04
PSMD200E/06
PSMD200E/08
PSMD200E/10
PSMD200E/12
反向性
外加反向电压不**过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加
三社二极管模块:
DD25F120
DD25F160
DD40F120
DD40F160
DD55F120
DD55F160
DD70F120
DD70F160
DD90F120
DD90F160
DD110F120
DD110F160
DD130F120
DD130F160
DD160F120
DD100HB120
DD100HB160
DD200HB120
DD200HB160
DD250HB120
DD250HB160
DD30GB40
DD30GB80
DD60KB160
DD60KB120
DD60HB160
DD60HB120
DD60KB80
DD60GB80
DD60GB40
DD100KB160
DD100KB120
DD100KB80
DD100KB40
DD100GB80
DD100GB40
KD30GB40
KD30GB80
KD60GB40
KD60GB80
KD100GB40
KD100GB80
KD30HB120
KD30HB160
KD60HB120
KD60HB160
KD100HB120
KD100HB160
DWR50A30
DWR70A30
MDFR150A-L
MDFR250A-L
MDFR150A-M
MDFR250A-M
MDF250A-L
MDF150A-L
MDF150A-M
DD30HB160
DD30HB120
DD300KB80
DD300KB160
DD300KB40
DD250GB40
DD300KB120
DD240KB120
DD240KB40
DD250GB80
DD240KB80
DD240KB160
DD200KB80
DD200KB160
DD200KB40
DD200GB40
DD200KB120
DD200GB80
DD160KB40
DD160KB120
DD160KB160
DD160KB80
KF100HB120
KF100HB160
MDF150A40
MDF150A50
MDF200A40
MDF200A30
MDF250A30
MDF200A50
MDF250A40
MDF250A50
MDR250A40L
MDR100A30
MDR100A50
MDR100A40
MDR150A40
MDR150A30
MDR150A50
MDR200A30
MDR200A40
MDR200A50
MDR250A30
MDR250A40
MDR250A50
DWR40A40
DWR50A40
DWR70A40
DWR70A30
DWR50A30
DWR40A30
DWR100A40
DWR100A30
DWF70A30
DWF70BB30
DWF50A40
DWF40A40
DWF70BB40
DWF70A40
DWF50A30
DWF40A30
SDWF100A40
DWF100A30
肖特基二极管
DSR200AA60
DSR200BA60
DSR200BA50
DSR300BA60
DSR400AA60
DG20AA120
DG20AA80
DG20AA40
DG20AA160
快速恢复二极管模块
Fast Recovery Diode Modules
FRG150BA50
FRG25BA60
FRG25CA120
FDF60BA60
FDF25CA120
FDF25CA100
FRD100BA60
FRD100CA120
FDS100CA120
FDS100CA100
FDS100BA60
FRS200AA40
FRS200AA60
FRS200CA100
FRS200CA120
FRS300CA50
FRS400CA120
FRS400DA120
FRS400DA100
FRS150BA50
FRS400BA50
FRS400BA60
FRS200BA60
FRS300BA50
FRS400EA180
FRS400EA200
DKR200AB60
DKR300AB60
DKR400AB60
BKR400AC10
BKR400AB10
DKA300AA60
DBA100UA60
DBA100UA40
DBA200UA40
DBA200UA60
正向性
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压**过一定数值 ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
供应全新原装IXYS二极管模块
MDA72-08N1B
MDA72-12N1B
MDA72-14N1B
MDA72-16N1B
MDD26-08N1B
MDD26-12N1B
MDD26-14N1B
MDD26-16N1B
MDD26-18N1B
MDD44-08N1B
MDD44-12N1B
MDD44-14N1B
MDD44-16N1B
MDD44-18N1B
MDD56-08N1B
MDD56-12N1B
MDD56-14N1B
MDD56-16N1B
MDD56-18N1B
MDD72-08N1B
MDD72-12N1B
MDD72-14N1B
MDD72-16N1B
MDD72-18N1B
MDD95-08N1B
MDD95-12N1B
MDD95-14N1B
MDD95-16N1B
MDD95-18N1B
MDD95-20N1B
MDD95-22N1B
MDD142-08N1
MDD142-12N1
MDD142-14N1
MDD142-16N1
MDD142-18N1
MDD172-08N1
MDD172-12N1
MDD172-14N1
MDD172-16N1
MDD172-18N1
MDD220-08N1
MDD220-12N1
MDD220-14N1
MDD220-16N1
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MDD250-08N1
MDD250-12N1
MDD250-14N1
MDD250-16N1
MDD255-12N1
MDD255-14N1
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MDD310-08N1
MDD310-12N1
MDD310-14N1
MDD310-16N1
MDD310-18N1
MDD310-20N1
MDD310-22N1
MDD312-12N1
MDD312-14N1
MDD312-16N1
MDD312-18N1
MDD312-20N1
MDD312-22N1
MDD600-12N1
MDD600-16N1
MDD600-18N1
MDD600-22N1
MDD950-12N1W
MDD950-16N1W
MDD950-18N1W
MDD950-22N1W
MDO500-12N1
MDO500-14N1
MDO500-16N1
MDO500-18N1
上海秦邦电子科技有限公司成立于2000年,自创办以来,以市场为导向,积累了丰富的营销经验。并长年备有现货库存,业务遍布全国各地!产品应用范围遍及信息通讯、仪器仪表、航天**、船舶消防、科研实验等各大领域!我们秉承:诚信为本!互惠互利! 质量**!信誉**!的企业理念,将一如既往的为您服务,您的满意是我们永远的追求!相信以我们的诚信优质优价完善*的服务会让您满意和信赖的! 是一家专业性的功率模块半导体供应商,销售世界**电子元器件,长期备有现货库存,公司的主要经营对象有变频器及配套设备,电力电子器件,功率模块及电源模块。多年的诚信销售使得产品被广泛应用于冶金、矿山、风电、电镀、电解、交通、电焊机、电力、医疗器械等行业的装置中。现企业在大陆已发展成为集产品研发、生产制造、商贸、进出口、投资及网络销售于一体的综合型企业。公司优质的产品质量,遍布国内的销售网络,**周到的售后服务博得国内外用户的一致**。优势代理产品为大功率平板式晶闸管、可控硅、二极管、IGBT、整流桥、驱动板、快恢复二极管品牌如EUPEC、西门康、西码、三菱、ABB、三社、IR、明纬开关电源等国外功率模块。在国内严格按照**标准生产:ZP型普通整流管、ZK型快速整流管、KP型普通晶闸管、 KS型双向晶闸管、KK型快速晶闸管、KG型高频晶闸管、桥式整流器、电力模块、肖特基模块、 SF**快恢复二极管、电焊机**模块、固态继电器、固态调压器、型材散热器等电力半导体器件。期待与贵公司的合作!