LFE-35EA-8FN484CFPGA

灵活的逻辑结构
· 8640个 LUTs，用户IO数量从60到184个
低功耗器件
· 先进的65nm低功耗工艺
· 静态功耗低至4mA
支持分布式和嵌入式存储器
· 支持500Kbits 嵌入块存储器
· 嵌入块存储器容量9 Kbits，可配置为真双口，8Kx1到512x18模式
· 支持70 Kbits分布存储器
· FIFO控制逻辑

源同步输入/输出接口
· 输入/输出单元包含DDR寄存器
· Generic DDR
高性能，灵活的输入/输出缓冲器
· 可配置支持以下单端标准
· LVTTL、LVCMOS (3.3/2.5/1.8V/1.5/1.2V)
· PCI
· SSTL 3.3V and 2.5V (Class I and II)
· SSTL 1.8V and 1.5V (Class I)
· HSTL 1.8V and 1.5V (Class I)
· 通过配置支持以下差分标准
· LVDS，Bus-LVDS，MLVDS，RSDS，LVPECL
· 支持热插拔
· 可配置上拉/下拉模式
· 片内100欧姆差分电阻
· 可配置施密特触发器，0.5V迟滞

通过配置支持以下差分标准
· LVDS，Bus-LVDS, MLVDS, RSDS, LVPECL
· 支持热插拔
· 可配置上拉/下拉模式
· 片内100欧姆差分电阻
时钟资源
· 针对高速I/O接口设计的2路IOCLK
· 16路全局时钟
· 多支持4个PLLs用于频率综合
· 5路时钟输出
· 分频系数1到128
· 支持5路时钟输出级联
· 动态相位选择
配置模式
· 主模式串行SPI (MSPI)
· 从模式串行 (SS)
· 主模式并行x8 (MP)
· 从模式并行x8 (SP)
· JTAG模式 (IEEE-1532)
每个芯片拥有的64位DNA
BSCAN
· 兼容IEEE-1149.1
嵌入式硬核IP
· ADC
·8比特逐次逼近寄存器型（SAR）
·8个模拟输入
·1MHz采样速率（MSPS）
· 集成电压监控模块
· 内置环形振荡器

定位通信、工业控制和服务器市场，多支持336个 I/O，满足客户板级IO扩展应用需求。EF3器件采用先进的55nm低功耗工艺，优化功耗与性能，并可以通过低成本实现较高的功能。器件旨在用于大批量、成本敏感的应用，使系统设计师在降低成本的同时又能够满足不断增长的带宽要求。

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