• 氧化镓靶材Ga2O3镓靶材Ga磁控溅射靶材

    氧化镓靶材Ga2O3镓靶材Ga磁控溅射靶材

  • 2021-10-29 15:27 185
  • 产品价格:1000
  • 发货地址:北京市通州区张家湾镇包装说明:真空包装
  • 产品数量:不限产品规格:Ga2O3500806
  • 信息编号:51670026公司编号:4230561
  • 刘亚力 销售
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    产品描述
    科研实验专用氧化镓靶材Ga2O3镓靶材Ga磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料
    产品介绍
           氧化镓(Ga2O3)别名是三氧化二镓,是一种宽禁带半导体,Eg=4.9eV;不溶于水,微溶于热酸或碱溶液,易溶于碱金属氢氧化物和稀无机酸;有α,β两种变体,α型为白色菱形六面体,熔点:1900℃(在600℃时转化为β型)。用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。它是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景 ,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器。
    产品参数
    中文名 氧化镓           分子式 Ga2O3
    分子量 187.44          熔点 1740℃
    密度 5.88g/ml          纯度 99.99%
    产品介绍
           镓(Ga)是灰蓝色或银白色的金属,熔点很低,沸点很高,在大约1500℃时有很低的蒸汽压;纯液态镓有显着的过冷的趋势,在空气中很稳定。在29.76℃时变为银白色液体。微溶于汞,形成镓汞齐。镓能浸润玻璃,故不宜使用玻璃容器存放。常温时镓在干燥空气中稳定,很容易水解,镓与碱反应放出氢气,生成镓酸盐;能被冷浓盐酸浸蚀,对热硝酸显钝性,高温时能与多数非金属反应;制造半导体氮化镓、砷化镓、磷化镓、锗半导体掺杂元;纯镓及低熔合金可作核反应的热交换介质。
    产品参数
    中文名 镓      元素符号 Ga       原子量 69.723
    熔点  29.8℃  密度 5.91g/cm³  沸点 2403℃
    纯度 99.99%
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    产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
    交货周期:现货当天发,常规期货4周内
    适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 
    质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。 
    加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库


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