电源管理芯片电路图 电源管理芯片

AP8022A芯片内部集成了脉宽调制控制品和功率MOSFET，适用于小功率离线开关电源，该芯片提供了完整的智能保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护，突发模式能够降低系统处于待机模式的功耗。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。
SD8585S是内置高压MOS管功率开关的原边控制开关电源PSR，采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流(VC/CC)控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率采用SD8585S设计系统，无需光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路，降低系统成本。SD8585S适用10-12W输出功率，内置线损补尝功能和峰值电流补偿功能。

电子设备的核心是电源管理芯片，为了发挥电子系统的最佳性能，选择合适的电源管理方式对系统来说是至关重要的，AC-DC开关电源管理芯片，选用原边反应和副边反应拓扑结构，应用于适配器、手机充电器等电源供电。其典型规格包括5V/1A、5V/2A，12V/1A、12V/1.5A、12V2A、19V3.4A等，满足六级能效要求，下面跟随骊微电子一起了解下几款精简外围的ac-dc电源管理芯片。

PN8306M节省4颗阻容件，零外围同步整流器：PN8306M集成同步整流控制器及40V智能功率MOSFET，广泛应用于5V2A PSR Flyback架构的六级能效充电器、USB排插电源板。节省传统方案所需的1颗SW限流电阻和1颗RT调节电阻；内置MOSFET的 dv/dt变化缓慢，节省2颗RC snubber器件；采用输出电压供电，可实现零外围工作。

PN8160T节省6颗阻容件，24W无散热片六级能效电源芯片：Chipown高低压集成技术的SSR代表产品。PN8160T集成六级能效控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，广泛应用于12V2A SSR Flyback架构的六级能效适配器。内置高压启动，节省2颗启动电阻；内置电流采样管，节省4颗CS侦测器件，并以Trim技术实现3%OCP精度；叠层封装技术提高功率密度，24W应用无需散热片。

PN8034节省7颗阻容件，家电电源芯片：Chipown高低压集成技术的经典代表产品，3Pin开关电源，极简外围。PN8034集成PFM控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，广泛应用于12V300mA Buck/Buck-Boost架构的智能家电内置电源板。内置高压启动，节省2颗启动电阻；内置电流采样管，节省2颗电流侦测电阻；智能PFM控制技术，节省2颗输出电压采样电阻及1颗环路补偿电容。

PN8395H节省10颗阻容件/光耦，24W全集成PSR电源芯片：Chipown集成CCM技术的PSR代表产品。PN8395H集成六级能效控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，典型应用于12V2A的PSR Flyback架构的六级能效适配器。内置高压启动，节省2颗启动电阻；原边反馈及控制，节省光耦及TL431反馈网络等8颗外围器件；支持DCM及CCM工作模式，率先突破PSR 24W功率集成的技术挑战。

骊微电子ac-dc电源管理芯片适用于电源及电子设备等领域了，凭技术精简外围元件！EMI技术不仅具有优良的噪音衰减特性，而且功能强大，有的还能实现热插拔，可大大节省印制板(PCB）的空间，为客户提供高能效、低功耗、品质稳定的集成电源管理芯片。更多精简外围的ac-dc电源管理芯片精彩内容，请关注骊微电子网站。

PN8149内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。
PN8015M集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整。PN8015M内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8015M的降频调制技术有助于改善EMI特性。

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